半導體制造工藝流程(編輯修改稿)
2025-09-18 13:36 本頁面
【文章內容簡介】 3。光刻Ⅸ引線孔光刻（反刻AL）?！ 【A材料（Wafer） 圓晶是制作矽半導體IC所用之矽晶片，狀似圓形，故稱晶圓。材料是「矽」，IC（IntegratedCircuit）廠用的矽晶片即為矽晶體，因為整片的矽晶片是單一完整的晶體，故又稱為單晶體。但在整體固態(tài)晶體內，眾多小晶體的方向不相，則為復晶體（或多晶體）。生成單晶體或多晶體與晶體生長時的溫度，速率與雜質都有關系?！ ∫话闱逑醇夹g 光學顯影 光學顯影是在感光膠上經(jīng)過曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉換到感光膠下面的薄膜層或硅晶上。光學顯影主要包含了感光膠涂布、烘烤、光罩對準、曝光和顯影等程序。 曝光方式:紫外線、X射線、電子束、極紫外 蝕刻技術（EtchingTechnology） 蝕刻技術（EtchingTechnology）是將材料使用化學反應物理撞擊作用而移除的技術?？梢苑譃? 濕蝕刻（wetetching）:濕蝕刻所使用的是化學溶液，在經(jīng)過化學反應之後達到蝕刻的目的. 乾蝕刻（dryetching）:乾蝕刻則是利用一種電漿蝕刻（plasmaetching）。電漿蝕刻中蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面所產(chǎn)生的物理作用，或者是電漿中活性自由基（Radical）與晶片表面原子間的化學反應，甚至也可能是以上兩者的復合作用。 現(xiàn)在主要應用技術:等離子體刻蝕 常見濕法蝕刻技術 CVD化學氣相沉積 是利用熱能、電漿放電或紫外光照射等化學反應的方式，在反應器內將反應物（通常為氣體）生成固態(tài)的生成物，并在晶片表面沉積形成穩(wěn)定固態(tài)薄膜（film）的一種沉積技術。CVD技術是半導體IC制程中運用極為廣泛的薄膜形成方法，如介電材料（dielectrics）、導體或半導體等薄膜材料幾乎都能用CVD技術完成?！ 』瘜W氣相沉積CVD 化學氣相沉積技術 常用的CVD技術有：(1)「常壓化學氣相沈積（APCVD）」；(2)「低壓化學氣相沈積（LPCVD）」；(3)「電漿輔助化學氣相沈積（PECVD）」 較為常見的CVD薄膜包括有：■二氣化硅（通常直接稱為氧化層）■氮化硅■多晶硅■耐火金屬與這類金屬之其硅化物 物理氣相沈積（PVD） 主要是一種物理制程而非化學制程。此技術一般使用氬等鈍氣，藉由在高真空中將氬離子加速以撞擊濺鍍靶材后，可將靶材原子一個個濺擊出來，并使被濺擊出來的材質（通常為鋁、鈦或其合金）如雪片般沉積在晶圓表面。PVD以真空、測射、離子化或離子束等方法使純金屬揮發(fā)，與碳化氫、氮氣等氣體作用，加熱至400～600℃（約1～3小時）後，蒸鍍碳化物、氮化物、氧化物及硼化物等1～10μm厚之微細粒狀薄膜，PVD可分為三種技術：(1)蒸鍍（Evaporation）；(2)分子束磊晶成長（MolecularBeamEpitaxy；MBE）；(3)濺鍍（Sputter） 解離金屬電漿（淘氣鬼）物理氣相沉積技術 解離金屬電漿是最近發(fā)展出來的物理氣相沉積技術，它是在目標區(qū)與晶圓之間，利用電漿，針對從目標區(qū)濺擊出來的金屬原子，在其到達晶圓之前，加以離子化。離子化這些金屬原子
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