半導(dǎo)體制造工藝流程(編輯修改稿)
2024-09-18 13:36 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 3。光刻Ⅸ引線(xiàn)孔光刻（反刻AL）?！ 【A材料（Wafer） 圓晶是制作矽半導(dǎo)體IC所用之矽晶片，狀似圓形，故稱(chēng)晶圓。材料是「矽」，IC（IntegratedCircuit）廠用的矽晶片即為矽晶體，因?yàn)檎奈菃我煌暾木w，故又稱(chēng)為單晶體。但在整體固態(tài)晶體內(nèi)，眾多小晶體的方向不相，則為復(fù)晶體（或多晶體）。生成單晶體或多晶體與晶體生長(zhǎng)時(shí)的溫度，速率與雜質(zhì)都有關(guān)系。 一般清洗技術(shù) 光學(xué)顯影 光學(xué)顯影是在感光膠上經(jīng)過(guò)曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉(zhuǎn)換到感光膠下面的薄膜層或硅晶上。光學(xué)顯影主要包含了感光膠涂布、烘烤、光罩對(duì)準(zhǔn)、曝光和顯影等程序。 曝光方式:紫外線(xiàn)、X射線(xiàn)、電子束、極紫外 蝕刻技術(shù)（EtchingTechnology） 蝕刻技術(shù)（EtchingTechnology）是將材料使用化學(xué)反應(yīng)物理撞擊作用而移除的技術(shù)?？梢苑譃? 濕蝕刻（wetetching）:濕蝕刻所使用的是化學(xué)溶液，在經(jīng)過(guò)化學(xué)反應(yīng)之後達(dá)到蝕刻的目的. 乾蝕刻（dryetching）:乾蝕刻則是利用一種電漿蝕刻（plasmaetching）。電漿蝕刻中蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面所產(chǎn)生的物理作用，或者是電漿中活性自由基（Radical）與晶片表面原子間的化學(xué)反應(yīng)，甚至也可能是以上兩者的復(fù)合作用?！ ‖F(xiàn)在主要應(yīng)用技術(shù):等離子體刻蝕 常見(jiàn)濕法蝕刻技術(shù) CVD化學(xué)氣相沉積 是利用熱能、電漿放電或紫外光照射等化學(xué)反應(yīng)的方式，在反應(yīng)器內(nèi)將反應(yīng)物（通常為氣體）生成固態(tài)的生成物，并在晶片表面沉積形成穩(wěn)定固態(tài)薄膜（film）的一種沉積技術(shù)。CVD技術(shù)是半導(dǎo)體IC制程中運(yùn)用極為廣泛的薄膜形成方法，如介電材料（dielectrics）、導(dǎo)體或半導(dǎo)體等薄膜材料幾乎都能用CVD技術(shù)完成。 化學(xué)氣相沉積CVD 化學(xué)氣相沉積技術(shù) 常用的CVD技術(shù)有：(1)「常壓化學(xué)氣相沈積（APCVD）」；(2)「低壓化學(xué)氣相沈積（LPCVD）」；(3)「電漿輔助化學(xué)氣相沈積（PECVD）」 較為常見(jiàn)的CVD薄膜包括有：■二氣化硅（通常直接稱(chēng)為氧化層）■氮化硅■多晶硅■耐火金屬與這類(lèi)金屬之其硅化物 物理氣相沈積（PVD） 主要是一種物理制程而非化學(xué)制程。此技術(shù)一般使用氬等鈍氣，藉由在高真空中將氬離子加速以撞擊濺鍍靶材后，可將靶材原子一個(gè)個(gè)濺擊出來(lái)，并使被濺擊出來(lái)的材質(zhì)（通常為鋁、鈦或其合金）如雪片般沉積在晶圓表面。PVD以真空、測(cè)射、離子化或離子束等方法使純金屬揮發(fā)，與碳化氫、氮?dú)獾葰怏w作用，加熱至400～600℃（約1～3小時(shí)）後，蒸鍍碳化物、氮化物、氧化物及硼化物等1～10μm厚之微細(xì)粒狀薄膜，PVD可分為三種技術(shù)：(1)蒸鍍（Evaporation）；(2)分子束磊晶成長(zhǎng)（MolecularBeamEpitaxy；MBE）；(3)濺鍍（Sputter） 解離金屬電漿（淘氣鬼）物理氣相沉積技術(shù) 解離金屬電漿是最近發(fā)展出來(lái)的物理氣相沉積技術(shù)，它是在目標(biāo)區(qū)與晶圓之間，利用電漿，針對(duì)從目標(biāo)區(qū)濺擊出來(lái)的金屬原子，在其到達(dá)晶圓之前，加以離子化。離子化這些金屬原子
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