半導體制造工藝基礎教材(編輯修改稿)
2025-03-19 04:28 本頁面
【文章內容簡介】 像平面遠離孔徑，在孔徑和像之間設置鏡頭愛里斑23半導體制備工藝基礎第四章 光刻 (上 )瑞利給出恰可分辨兩個物點的判據：點物 S1的愛里斑中心恰好與另一個點物 S2的愛里斑邊緣（第一衍射極小）相重合時，恰可分辨兩物點。S1S2S1S2S1S2可分辨不可分辨恰可分辨100%%分辨率24半導體制備工藝基礎第四章 光刻 (上 )兩個愛里斑之間的分辨率 (瑞利判據 ):數值孔徑：收集衍射光的能力。 n為折射率分辨率k1=提高分辨率：NA?， ??， k1?理論計算人眼愛里斑 ~20?m分辨率 ： 100 ?m25半導體制備工藝基礎第四章 光刻 (上 )由于有較高的光強度與穩(wěn)定度，高壓汞燈被廣泛用作曝光光源。26半導體制備工藝基礎第四章 光刻 (上 )投影式基本參數：252。分辨率 (resolution)252。焦深 (depth of focus)252。視場 (field of view)252。調制傳遞函數 (MTF—modulation transfer function)252。套刻精度 (alignment accuracy)252。產率 (throughput)252?！? 光學系統(tǒng)決定 機械設計27半導體制備工藝基礎第四章 光刻 (上 )?為 軸上光線到極限聚焦位置的光程差。根據瑞利判據：? 很小時，焦深NA?，焦深 ? ?焦深28半導體制備工藝基礎第四章 光刻 (上 )焦深焦平面光刻膠IC技術中，焦深只有 1?m，甚至更小29半導體制備工藝基礎第四章 光刻 (上 )光刻膠光刻膠的作用：對于入射光子有化學變化，通過顯影，從而實現圖形轉移。靈敏度：單位面積的膠曝光所需的光能量： mJ/cm2負膠烴基高分子材料正膠分辨率高于負膠抗蝕性：刻蝕和離子注入正膠IC主導30半導體制備工藝基礎第四章 光刻 (上 ) 正性光刻膠 受光或紫外線照射后 感光的部分發(fā)生光分解反應，可溶于顯影液 ，未感光的部分顯影后仍然留在晶圓的表面 負性光刻膠 的 未感光部分溶于顯影液中 ，而感光部分顯影后仍然留在基片表面。正膠：曝光前不可溶，曝光后 可溶負膠：曝光前 可溶，曝光后不可溶 光刻膠對大部分可見光敏感， 對黃光不敏感。因此光刻通常在 黃光室 （ Yellow Room） ）內進行。31半導體制備工藝基礎第四章 光刻 (上 )負光阻正光阻32半導體制備工藝基礎第四章 光刻 (上 )汞燈 436nm (g線 )和 365nm (i線 )光刻膠的組成（正膠－ positive photoresist, DNQ）a) 基底：樹脂 是一種低分子量的酚醛樹脂 (novolac, a polymer) 本身溶于顯影液，溶解速率為 15 nm/s。 b)光敏材料（ PAC－ photoactive pounds) 二氮醌 (diazoquinone, DQ)252。DQ不溶于顯影液，光刻膠在顯影液中的溶解速率為 1－ 2 nm/sec252。光照后， DQ結構發(fā)生重新排列，成為溶于顯影液的烴基酸（TMAH四甲基
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