半導(dǎo)體制造工藝第4章氧化(編輯修改稿)
2025-03-19 04:30 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 Si)結(jié)構(gòu)，所以與光刻膠的粘附性能良好，不易產(chǎn)生浮膠現(xiàn)象。2)水汽氧化速度較快，但由于水汽的進(jìn)入，使得氧化層中大量的橋鍵氧裂變?yōu)榉菢蜴I氧的烴基，所以氧化層結(jié)構(gòu)疏松，質(zhì)量不如干氧氧化的好，特別是其表面是極性的硅烷醇，它極易吸附水，極性的水不易沾潤非極性的光刻膠，所以氧化層表面與光刻膠粘附性差?！⊙趸さ馁|(zhì)量控制3)濕氧氧化兼有干氧氧化與水汽氧化兩種作用，因此其氧化速度及氧化層質(zhì)量介于干氧氧化及水汽氧化之間?！⊙趸に嚹M 概述 為了得到良好的器件和集成電路性能，必須要選擇合適的工藝過程和優(yōu)化的工藝條件。如果在工藝流水線上通過工藝性實(shí)驗(yàn)流片來確定合適的工藝條件，往往需要花費(fèi)很長的周期和很高的成本，有時(shí)還不能得到預(yù)期的效果。而此時(shí)如果用軟件來進(jìn)行模擬就可以很好地改善這一問題。 工藝模型 不同的工藝過程對(duì)應(yīng)不同的工藝模型，工藝模型就是用數(shù)學(xué)方法表示工藝過程，目前的很多模型都是經(jīng)驗(yàn)公式。工藝模型的好壞直接影響工藝模擬的結(jié)果和精度，因此是工藝模擬的關(guān)鍵?！」に嚹M器簡介 目前提供工藝模擬器的主要廠家有 Synopsys和 Sivaco公司?！⊙趸に嚹M TCAD系統(tǒng)(1)Device模塊組 此模塊作為業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)器件的仿真工具，可以用來預(yù)測半導(dǎo)體器件的電學(xué)、溫度和光學(xué)特性，通過一、二、三維的方式對(duì)多種器件進(jìn)行建模，包括 MOSFET、 Strain Silicon、 SiGe、BiCMOS、 HBT、 IGBT等，從簡單的二極管、晶體管到復(fù)雜的CMOS器件、光電器件、功率器件、射頻器件、存儲(chǔ)器件等都有準(zhǔn)確的模型。(2)Process模塊組 Process是業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的工藝仿真工具，可以對(duì) IC生產(chǎn)工藝進(jìn)行優(yōu)化以縮短產(chǎn)品開發(fā)周期和產(chǎn)品定型。(3)Device Editor模塊組 此模塊具有三個(gè)操作模式：二維器件編輯，三維器件編輯和三維工藝流程模擬?！⊙趸に嚹M(4)Workbench模塊組 此模塊集成了 Synopsys的 TCAD各模塊工具的圖形前端集成環(huán)境，用戶可以通過圖形界面來進(jìn)行半導(dǎo)體研究及其制備工藝模擬和器件仿真的設(shè)計(jì)、組織和運(yùn)行，使用戶可以很容易建立 IC工藝流程，以便 TCAD進(jìn)行模擬，還可以繪制器件的各端口電學(xué)性能等重要參數(shù)。 TCAD系統(tǒng) Athena基礎(chǔ) Athena工藝模擬器是目前比較常用的工藝模擬器。1)每一個(gè)語法命令占用一行，如果一行放不下，結(jié)尾處用一個(gè)加號(hào)“+”表示繼續(xù)下一行；每一行不超過 80個(gè)字符。2)大部分命令的參數(shù)要按照一定的順序?！⊙趸に嚹M3)兩行之間的空行和參數(shù)之間的多余的空格會(huì)忽略掉。4)以符號(hào) “”開頭的行是注釋行。5)輸入文件可以包含英文大小寫，且不區(qū)分大小寫 (特殊字符除外 )。(1)結(jié)構(gòu)和格點(diǎn)初始化語句 結(jié)構(gòu)和格點(diǎn)初始化語句用于定義初始結(jié)構(gòu)的尺寸、邊界、格點(diǎn)密度和材料類型。1)：規(guī)定初始格點(diǎn)的網(wǎng)格參數(shù)。2)boundary：規(guī)定矩形格點(diǎn)與空氣的邊界。3)initialize：設(shè)置初始格點(diǎn)、材料的類型及摻雜條件。4)line：規(guī)定矩形擬合時(shí)的 x和 y方向位置。5)region：規(guī)定矩形網(wǎng)格和材料的區(qū)域?！⊙趸に嚹M(2)結(jié)構(gòu)和網(wǎng)格處理語句 結(jié)構(gòu)和網(wǎng)格處理語句主要控制結(jié)構(gòu)的幾何結(jié)構(gòu)和屬性以及產(chǎn)生輸出文件的類型。1)：啟動(dòng)自適應(yīng)網(wǎng)格劃分算法。2)：設(shè)定自適應(yīng)網(wǎng)格劃
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