半導(dǎo)體制造工藝第4章氧化-wenkub.com
2025-02-27 04:30 本頁面
【正文】 2023/2/1 4:50:1604:50:1601 February 2023? 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 。 二月 2104:50:1604:50Feb2101Feb21? 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 2023/2/1 4:50:1604:50:1601 February 2023? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 二月 21二月 2104:50:1604:50:16February 01, 2023? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。(5)可執(zhí)行控制語句 控制語句提供了幫助 (help)、注釋 (ment)以及退出 Athena仿真系統(tǒng)等輔助功能。4)mask：通過掩膜視窗實(shí)現(xiàn)光刻膠的沉淀和刻蝕。 氧化工藝模擬(4)DeckBuild專用語句 DeckBuild專用語句用來調(diào)用 DeckBuild運(yùn)行環(huán)境下的特定操作。9)implant：離子注入。5)epitaxy：高溫條件下的硅外延生長?！⊙趸に嚹M1)bake：曝光后烘焙或光刻膠刻蝕后烘焙。6)Profile：使 atnena讀入一個(gè)包含摻雜信息的 ASCII文件。2)：設(shè)定自適應(yīng)網(wǎng)格劃分參數(shù)。4)line：規(guī)定矩形擬合時(shí)的 x和 y方向位置。(1)結(jié)構(gòu)和格點(diǎn)初始化語句 結(jié)構(gòu)和格點(diǎn)初始化語句用于定義初始結(jié)構(gòu)的尺寸、邊界、格點(diǎn)密度和材料類型。2)大部分命令的參數(shù)要按照一定的順序。(3)Device Editor模塊組 此模塊具有三個(gè)操作模式：二維器件編輯，三維器件編輯和三維工藝流程模擬。工藝模型的好壞直接影響工藝模擬的結(jié)果和精度，因此是工藝模擬的關(guān)鍵?！⊙趸に嚹M 概述 為了得到良好的器件和集成電路性能，必須要選擇合適的工藝過程和優(yōu)化的工藝條件?！⊙趸さ馁|(zhì)量控制圖 412 氯氣腐蝕法裝置示意圖 氧化膜的質(zhì)量控制 不同方法生成的氧化膜特性比較 在工藝中，雖然采用干氧氧化、濕氧氧化和水汽氧化都可以制備二氧化硅薄膜，但采用不同的氧化工藝，所制備出的薄膜性能有較大區(qū)別?！⊙趸さ馁|(zhì)量控制2)熱氧化層錯(cuò)。3)氧化層針孔?！⊙趸さ馁|(zhì)量控制表 42 不同氧化膜厚度的干涉顏色 氧化膜的質(zhì)量控制圖 411 雙光干涉法示意圖 氧化膜的質(zhì)量控制 氧化膜缺陷類型及檢測(1)宏觀缺陷 宏觀缺陷又稱表面缺陷，主要包括：氧化層厚度不均勻、表面有斑點(diǎn)、氧化層上有針孔等。 氧化膜的質(zhì)量控制 氧化膜厚度的測量 在生產(chǎn)實(shí)踐中，測量 SiO2厚度的方法有很多，如果精度要求不高，可采用比色法、腐蝕法等。2)定期檢查氫氣、氮?dú)狻⒀鯕獾臍怏w管道是否存在漏氣。② 氧化層厚度與氧化時(shí)間的平方根成正比，氧化層的生長速率主要取決于氧化劑在氧化層中擴(kuò)散的快慢，稱為擴(kuò)散控制，此時(shí)的氧化速率主要取決于擴(kuò)散系數(shù) Dox的大小。 熱氧化原理(2)摻氯氧化的氯源選擇 摻氯試劑往往用氯化氫 (HCl)、三氯乙烯(C2HCl3)、四氯化碳 (CC
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