半導體制造工藝之光刻原理課件-wenkub.com
2025-03-01 14:53 本頁面
【正文】 2023年 3月 22日星期三 2時 53分 20秒 14:53:2023 March 2023 ? 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強不息。勝人者有力，自勝者強。 , March 22, 2023 ? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 。 :53:2023:53Mar2322Mar23 ? 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 2023年 3月 22日星期三 2時 53分 20秒 14:53:2023 March 2023 ? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時，你只能或者最好沿著以腳為起點的射線向前。 :53:2023:53:20March 22, 2023 ? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 , March 22, 2023 ? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。采用混合與配合的方法，可利用每一種圖形曝光工藝的優(yōu)點來改善分辨率與提供產(chǎn)率。下圖為 60keV的 50個氫離子注入 PMMA及不同襯底中的電腦模擬軌跡。激發(fā)態(tài)原子回到基態(tài)時，會釋放出 X射線，此 X射線被原子吸收，故此過程一直持續(xù)進行。 XRL是利用類似光學遮蔽接近式曝光的一種遮蔽式曝光。因此入射電子在行進中會散開，直到能量完全損失或是因背散射而離開為止。換言之，通過光照造成抗蝕劑產(chǎn)生化學或物理變化，這種變化可使抗蝕劑產(chǎn)生圖案。而對不用掩模版的直寫形成圖案方式，設(shè)備必須盡可能提供產(chǎn)率，故要采用與器件最小尺寸相容的最大束徑。) 光源 波長 ?(nm) 術(shù)語 技術(shù)節(jié)點 汞燈 436 g線 汞燈 365 i線 KrF(激光 ) 248 DUV ArF (激光 ) 193 193DUV 90/65…32nm F2 (激光 ) 157 VUV CaF2 lenses 激光激發(fā) Xe等離子體 EUV Reflective mirrors NAkR?1? Using light source with shorter ? 提高分辨率的方法 12 半導體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 248 nm 157 nm nm 193 nm 13 半導體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) Reducing resolution factor k1 Phase Shift Mask Pattern dependent ? k1 can be reduced by up to 40 % NAkR ?1?Normal Mask *EEI ?? PSM (phase shift mask) 附加材料造成光學 路逕差異，達到反相 14 半導體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) Alternating PSM Attenuated PSM …… 相移技術(shù)提高圖形分辨率 選擇性腐蝕石英基板造成光學 路逕差異，達到反相 i ~ e2 )1/( ?? nd ?15 半導體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) (RET) 光學臨近修正 OPC (optical proximity correction) 在光刻版上進行圖形修正，來補償衍射帶來的光刻圖形變形 16 半導體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) OPC實例 17 半導體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 離軸照明技術(shù) OAI (offaxis illumination) 可以減小對分辨率的限制、增加成像的焦深且提高了 MTF 18 半導體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光
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