半導(dǎo)體制造工藝_08擴(kuò)散(下)-wenkub.com
2025-03-01 14:53 本頁面
【正文】 2023年 3月 22日星期三 2時(shí) 53分 6秒 14:53:0622 March 2023 ? 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 , March 22, 2023 ? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 。 :53:0614:53Mar2322Mar23 ? 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 2023年 3月 22日星期三 2時(shí) 53分 6秒 14:53:0622 March 2023 ? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 :53:0614:53:06March 22, 2023 ? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 , March 22, 2023 ? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 垂直滲透約為 橫向滲透約為 44 由于橫向擴(kuò)散作用，結(jié)包含了一個(gè)中央平面區(qū)及一個(gè)近似圓柱、曲率半徑為 rj的邊。并注意即使是最低表面濃度的情況，擴(kuò)散型態(tài)也屬于非本征擴(kuò)散。但由于 離解效應(yīng)，擴(kuò)散分布將呈現(xiàn)出不 規(guī)則的形狀。 擴(kuò)散方程式為： ()C F CDt x x x? ? ? ?? ? ?? ? ? ?可將擴(kuò)散方程式寫成一常微分方程式并以數(shù)值法求解。正比與 Ci的 D也將和雜質(zhì)濃度無關(guān)。 36 與濃度有關(guān)的擴(kuò)散 當(dāng)基質(zhì)原子離開晶格位置而產(chǎn)生空位，依照空位的電荷數(shù)，可有中性空位 V0、受主空位 V－ 、雙電荷受主 V2－ 、施主空位 V+等。 VR 反偏電壓 ? ????????????qkTVVNqAVCRbiBs220??? ?dVCdqAWNs????????20212??33 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) ?二次離子質(zhì)譜（ Secondary Ion Mass Spectroscopy, SIMS） 用高能離子束轟擊樣品，使其產(chǎn)生正負(fù)二次離子，將這些二次離子引入質(zhì)譜儀進(jìn)行分析，再由檢測系統(tǒng)收集，據(jù)此識別樣品的組分。 ?常用染色液： HF與 0?1％ HNO3的混合液，使 p區(qū)的顯示的顏色比 n區(qū)深。不需載氣，但以 N2或 Ar2保護(hù)。 擴(kuò)散摻雜工藝 22 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 氣態(tài)源擴(kuò)散 利用載氣（如 N2）稀釋雜質(zhì)氣體，雜質(zhì)氣體在高溫下與硅表面硅原子發(fā)生反應(yīng)，釋放出雜質(zhì)原子向硅中擴(kuò)散。 溫度為 1000 ℃ 時(shí)，尾區(qū)的擴(kuò)散系數(shù) 比本征情況下的擴(kuò)散系數(shù)大二個(gè)數(shù)量級。 Phosphorus Boron 18 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 常用雜質(zhì)硼（ B），磷（ P），砷（ As）在硅中的性質(zhì) 1）硼 B: III族元素，受主雜質(zhì)， 1150 ℃ 時(shí)固溶度達(dá) 1020 原子 /cm3 D0=1 cm2/s Ea= eV ?高濃度摻雜 ?如考慮場助效應(yīng) h 電場增強(qiáng)因子 s/ 200 ?????? ???????? ???? ?kTkTEDDDD aiii ?????????????? ???????????? ?iaiiie npkTEDnpDD exp00???????????????? ?iiie npDDhD 019 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 2）磷 ?Ⅴ 族元素 ， 施主原子 ， 有吸收銅 、 金等快擴(kuò)散雜質(zhì)的性質(zhì) （ 這些雜質(zhì)在缺陷處淀積會產(chǎn)生漏電） ,固溶度達(dá) 5 1021 原子 /㎝ 3。 ?雙擴(kuò)散機(jī)制 : 雜質(zhì)可以通過空位和間隙兩種方式擴(kuò)散 氧化增強(qiáng) /抑制擴(kuò)散（ oxidation enhanced / retarded diffusion） OED/ORD 15 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 1 ） OED： 對于原子 B或 P來說，其在硅中的擴(kuò)散可以通過間隙硅原子進(jìn)行。 10 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 電場效應(yīng)對于低濃度本體雜質(zhì)分布影響更大 11 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 擴(kuò)散系數(shù)與雜質(zhì)濃度的關(guān)系 在雜質(zhì)濃度很高時(shí)，擴(kuò)散系數(shù)不再是常數(shù)，而與摻雜濃度相關(guān) 擴(kuò)散方程改寫為： 箱型 ?????????????xCDxtC effA12 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 20??????????????????? ??iieffA nnDnnDDD 20??????????????????? ???iieffA npDnpDDDp型摻雜 n型摻雜
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1