半導(dǎo)體制造工藝課件(ppt98頁(yè))-文庫(kù)吧在線文庫(kù)
【正文】 硼l 推阱l 去掉 N阱區(qū)的氧化層l 退火驅(qū)入l 形成場(chǎng)隔離區(qū)l 生長(zhǎng)一層薄氧化層l 淀積一層氮化硅l 光刻場(chǎng)隔離區(qū)，非隔離區(qū)被光刻膠保護(hù)起來(lái)l 反應(yīng)離子刻蝕氮化硅l 場(chǎng)區(qū)離子注入l 熱生長(zhǎng)厚的場(chǎng)氧化層l 去掉氮化硅層l 形成多晶硅柵l 生長(zhǎng)柵氧化層l 淀積多晶硅l 光刻多晶硅柵l 刻蝕多晶硅柵l Salicide工藝l 淀積多晶硅、刻蝕并形成側(cè)壁氧化層；l 淀積 Ti或 Co等難熔金屬l RTP并選擇腐蝕側(cè)壁氧化層上的金屬；l 最后形成 Salicide結(jié)構(gòu)l 形成硅化物l 淀積氧化層l 反應(yīng)離子刻蝕氧化層，形成側(cè)壁氧化層l 淀積難熔金屬 Ti或 Co等l 低溫退火，形成 C47相的 TiSi2或 CoSil 去掉氧化層上的沒(méi)有發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的 Ti或 Col 高溫退火，形成低阻穩(wěn)定的 TiSi2或 CoSi2l 形成 N管源漏區(qū)l 光刻，利用光刻膠將 PMOS區(qū)保護(hù)起來(lái)l 離子注入磷或砷，形成 N管源漏區(qū)l 形成 P管源漏區(qū)l 光刻，利用光刻膠將 NMOS區(qū)保護(hù)起來(lái)l 離子注入硼，形成 P管源漏區(qū)l 形成接觸孔l 化學(xué)氣相淀積磷硅玻璃層l 退火和致密l 光刻接觸孔版l 反應(yīng)離子刻蝕磷硅玻璃，形成接觸孔l 形成第一層金屬l 淀積金屬鎢 (W)，形成鎢塞l 形成第一層金屬l 淀積金屬層，如 AlSi、 AlSiCu合金等l 光刻第一層金屬版，定義出連線圖形l 反應(yīng)離子刻蝕金屬層，形成互連圖形l 形成穿通接觸孔l 化學(xué)氣相淀積 PETEOSl 通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化l 光刻穿通接觸孔版l 反應(yīng)離子刻蝕絕緣層，形成穿通接觸孔l 形成第二層金屬l 淀積金屬層，如 AlSi、 AlSiCu合金等l 光刻第二層金屬版，定義出連線圖形l 反應(yīng)離子刻蝕，形成第二層金屬互連圖形l 合金l 形成鈍化層l 在低溫條件下 (小于 300℃ )淀積氮化硅l 光刻鈍化版l 刻蝕氮化硅，形成鈍化圖形l 測(cè)試、封裝，完成集成電路的制造工藝l CMOS集成電路一般采用 (100)晶向的硅材料AA雙極集成電路制造工藝l 制作埋層l 初始氧化，熱生長(zhǎng)厚度約為 500～ 1000nm的氧化層l 光刻 1版 (埋層版 )，利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)將光刻窗口中的氧化層刻蝕掉，并去掉光刻膠l 進(jìn)行大劑量 As+注入并退火，形成 n+埋層雙極集成電路工藝l 生長(zhǎng) n型外延層l 利用 HF腐蝕掉硅片表面的氧化層l 將硅片放入外延爐中進(jìn)行外延，外延層的厚度和摻雜濃度一般由器件的用途決定l 形成橫向氧化物隔離區(qū)l 熱生長(zhǎng)一層薄氧化層，厚度約 50nml 淀積一層氮化硅，厚度約 100nml 光刻 2版 (場(chǎng)區(qū)隔離版l 形成橫向氧化物隔離區(qū)l 利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)將光刻窗口中的氮化硅層 氧化層以及一半的場(chǎng)氧化層刻蝕掉l 進(jìn)行硼離子注入l 形成橫向氧化物隔離區(qū)l 去掉光刻膠，把硅片放入氧化爐氧化，形成厚的場(chǎng)氧化層隔離區(qū)l 去掉氮化硅層l 形成基區(qū)l 光刻 3版 (基區(qū)版 )，利用光刻膠將收集區(qū)遮擋住，暴露出基區(qū)l 基區(qū)離子注入硼l 形成接觸孔：l 光刻 4版 (基區(qū)接觸孔版 )l 進(jìn)行大劑量硼離子注入l 刻蝕掉接觸孔中的氧化層l 形成發(fā)射區(qū)l 光刻 5版 (發(fā)射區(qū)版 )，利用光刻膠將基極接觸孔保護(hù)起來(lái)，暴露出發(fā)射極和集電極接觸孔l 進(jìn)行低能量、高劑量的砷離子注入，形成發(fā)射區(qū)和集電區(qū)l 金屬化l 淀積金屬，一般是鋁或 AlSi、 PtSi合金等l 光刻 6版 (連線版 )，形成金屬互連線l 合金：使 Al與接觸孔中的硅形成良好的歐姆接觸，一般是在 450℃ 、 N2H2氣氛下處理 20～ 30分鐘l 形成鈍化層l 在低溫條件下 (小于 300℃ )淀積氮化硅l 光刻 7版 (鈍化版 )l 刻蝕氮化硅，形成鈍化圖形
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