【摘要】微電子學(xué)概論第二章半導(dǎo)體物理與器件(SemiconductorPhysicsAndDevice)?《半導(dǎo)體物理學(xué)》劉恩科等著國防工業(yè)出版社?《半導(dǎo)體物理學(xué)》葉良修高等教育出版社?《半導(dǎo)體物理與器件》(第3版)(美)DonaldA.Neamen著,趙毅強等譯
2025-07-20 05:07
【摘要】半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識雜質(zhì)半導(dǎo)體半導(dǎo)體二極管雙極型三極管場效應(yīng)管常見結(jié)構(gòu)及伏安特性主要參數(shù)PN結(jié)等效電路本征半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識形成單向?qū)щ娦苑€(wěn)壓二極管結(jié)型放大電路絕緣柵型結(jié)構(gòu)及類型工作原理特性曲線主要
2025-02-22 00:48
【摘要】半導(dǎo)體器件可靠性與失效分析
2025-06-26 11:58
【摘要】寧波工程學(xué)院:余輝晴《模擬電子技術(shù)》課件Tel:0574-87081230Email:第1章半導(dǎo)體器件?半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識?半導(dǎo)體二極管?半導(dǎo)體三極管?場效應(yīng)管1.本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識本征半導(dǎo)體及雜質(zhì)半導(dǎo)體硅和鍺是四價元素,它們分別與周圍的四
2025-02-21 12:39
【摘要】第四章集成電路制造工藝芯片制造過程?圖形轉(zhuǎn)換:將設(shè)計在掩膜版(類似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上。?摻雜:根據(jù)設(shè)計的需要,將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上,形成晶體管、接觸等。?制膜:制作各種材料的薄膜?;静襟E:硅片準備、外延、氧化、摻雜、淀積、刻蝕、光刻硅片準備光刻(Lithography)圖形轉(zhuǎn)移
2025-03-01 12:22
【摘要】美國半導(dǎo)體器件的型號命名方法美國半導(dǎo)體器件型號命名由四部分組成。各部分的含義見下表。????第一部分用數(shù)字表示器件的類別。????第二部分用字母“N”表示該器件已在EIA注冊登記。????第三部分用數(shù)字表示該器件的注冊登記號。??&
2025-08-17 08:58
【摘要】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器,可控硅,SCR。一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件符號正向阻斷:A—K接正電壓,J2反偏,漏電流很小。反向阻斷:A—K接負電壓,J1,J3反偏,漏電流很小。等效電路:由PN
2025-04-30 01:43
【摘要】第六章可關(guān)斷晶閘管(GTO)特點:是SCR的一種派生器件;具有SCR的全部優(yōu)點,耐壓高、電流大、耐浪涌能力強,造價便宜;為全控型器件,工作頻率高,控制功率小,線路簡單,使用方便?!霨TO結(jié)構(gòu)及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件;特點:①
2025-05-01 06:14
【摘要】第一章半導(dǎo)體基本器件及應(yīng)用電路§半導(dǎo)體材料及導(dǎo)電特性§PN結(jié)原理§雙極型晶體管§晶體二極管及應(yīng)用返回.1本征半導(dǎo)體1.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體1.1.3漂移電流與擴散電流引言返回返回.1本征半導(dǎo)體返回.1本征半導(dǎo)體(intrin
2024-12-29 14:17
【摘要】模塊一半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)半導(dǎo)體的基本知識半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體三極管BJT模型場效應(yīng)管半導(dǎo)體的基本知識在物理學(xué)中。根據(jù)材料的導(dǎo)電能力,可以將他們劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體是硅Si和鍺Ge,它們都是4價元素。sisi硅原子Ge鍺原子Ge+4+4
2025-07-19 20:34
【摘要】第三章雙極結(jié)型晶體管●雙極結(jié)型晶體管的結(jié)構(gòu)●基本工作原理●理想雙極結(jié)型晶體管中的電流傳輸●愛伯斯-莫爾方程●緩變基區(qū)晶體管●基區(qū)擴展電阻和電流密聚●基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)●晶體管的頻率響應(yīng)●混接型等效電路●晶體管的開關(guān)特性●擊穿電壓●P-N-P-N結(jié)構(gòu)●異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
2025-05-06 12:47
【摘要】第4章半導(dǎo)體分立器件概述半導(dǎo)體分立器件種類繁多,通??煞譃榘雽?dǎo)體二極管、晶體三極管、功率整流器件和場效應(yīng)晶體管等。半導(dǎo)體二極管又可分為普通二極管和特殊二極管兩種。普通二極管包括整流二極管、穩(wěn)壓二極管、恒流二極管、開關(guān)二極管等。特殊二極管包括肖特基勢壘管(SBD)、隧道二極管(TD)、位置顯示管(PIN)、變?nèi)荻O管、
2025-09-26 00:38
【摘要】第一章半導(dǎo)體器件的特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性PN結(jié)二極管雙極型晶體管(BJT)場效應(yīng)管(FET)主要內(nèi)容及要求基礎(chǔ),必須掌握:基本概念,原理,特征曲線、參數(shù),應(yīng)用等。了解原理,掌握特征曲線、參數(shù)。半導(dǎo)體材料:物質(zhì)根據(jù)其導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,可劃分導(dǎo)體、絕緣體和
2025-05-06 12:44
【摘要】第四章電力晶體管§GTR結(jié)構(gòu)雙極型大功率、高反壓晶體管——GTR(巨型晶體管)GiantTransistor三層半導(dǎo)體材料,兩個PN結(jié)(NPN型、PNP型)。一、工藝特點三重擴散;叉指型基極和發(fā)射極;特點:發(fā)射區(qū)高濃度摻雜基區(qū)很?。◣譽m—幾十um)N-摻雜
【摘要】半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)一.半導(dǎo)體概要二.載流子模型三.載流子輸運四.pn結(jié)的靜電特性五.pn結(jié)二極管:I-V特性六.pn結(jié)二極管:小信號導(dǎo)納七.pn結(jié)二極管:瞬態(tài)特性八.BJT的基礎(chǔ)知識9.BJT靜態(tài)特性10.BJT動態(tài)響應(yīng)模型11.MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)12.MOS
2025-04-29 04:29