【摘要】半導體制造工藝第2章 半導體制造工藝概況第2章 半導體制造工藝概況 引言 器件的隔離 雙極型集成電路制造工藝 CMOS器件制造工藝 引言集成電路的制造要經(jīng)過大約450道工序,消耗6~8周的時間,看似復雜,而實際上是將幾大工藝技術順序、重復運用的過程,最終在硅片上實現(xiàn)所設計的圖形和電學結構。在講述各個工藝之前,介紹一下集成電路芯片的加工工藝過程
2025-03-05 04:28
【摘要】半導體制造工藝第3章 清洗工藝第3章 清洗工藝 引言 污染物雜質(zhì)的分類 清洗方法概況 常用清洗設備——超聲波清洗設備 質(zhì)量控制 引言表3-1 國際半導體技術指南——清洗技術 引言表3-1 國際半導體技術指南——清洗技術 污染物雜質(zhì)的分類表3-2 各種沾污的來源和相對的影響 污染物雜質(zhì)的分類
2025-03-05 04:30
【摘要】集成電路版圖設計與驗證第三章半導體制造工藝簡介學習目的v(1)了解晶體管工作原理,特別是MOS管的工作原理v(2)了解集成電路制造工藝v(3)了解COMS工藝流程主要內(nèi)容工藝流程工藝集成v半導體硅原子結構:4個共價鍵,比較穩(wěn)定,沒有明顯的自由電子。v1、半導體能帶v禁帶帶隙介于導體和絕緣體之間v2
2025-03-05 12:21
【摘要】半導體制造工藝張淵主編張淵主編半導體制造工藝高職高專“十二五”電子信息類專業(yè)規(guī)劃教材第1章 緒 論第1章 緒 論 引言 基本半導體元器件結構 半導體器件工藝的發(fā)展歷史 集成電路制造階段 半導體制造企業(yè) 基本的半導體材料 半導體制造中使用的化學品 芯片制造的生產(chǎn)環(huán)境 引言圖1-1 集成電路組成的抽象結構圖
2025-03-05 12:19
【摘要】半導體制造工藝第4章 氧 化第4章 氧 化 引言 二氧化硅膜的性質(zhì) 二氧化硅膜的用途 熱氧化原理 氧化設備 氧化膜的質(zhì)量控制 氧化工藝模擬 引言二氧化硅(SiO2)是一種絕緣介質(zhì)。它在半導體器件中起著十分重要的作用。硅暴露在空氣中,即使在室溫條件下,其表面也能生長一層4nm左右的氧化膜。這一層氧化膜結構致密,能防止硅表面繼續(xù)被氧
【摘要】半導體制備工藝基礎第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導體制備工藝基礎第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結合的精密表面加工技術。用照相復印的方法將掩模版上的圖案轉移到硅片表面的光刻膠上,以實現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或注入摻雜光刻的目的:光
【摘要】電信學院微電子教研室半導體制造技術byMichaelQuirkandJulianSerda淀積電信學院微電子教研室半導體制造技術byMichaelQuirkandJulianSerda概述薄膜淀積是芯片加工過程中一個至關重要的工藝步驟,通過淀積工藝可以在硅片上生長導各種導電薄膜層和絕緣薄膜層。
【摘要】集成電路版圖設計與驗證第三章半導體制造工藝簡介學習目的?(1)了解晶體管工作原理,特別是MOS管的工作原理?(2)了解集成電路制造工藝?(3)了解COMS工藝流程主要內(nèi)容??工藝流程?工藝集成?半導體硅原子結構:4個共價鍵,比較穩(wěn)定,沒有明顯的自由電子。
2025-05-05 04:54
2025-03-05 04:31
【摘要】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP+++++半導體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-05 04:29
【摘要】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP------+++++半導體元件制造過程可分為
2025-03-02 01:36
【摘要】半導體制備工藝基礎第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導體制備工藝基礎第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結合的精密表面加工技術。用照相復印的方法將掩模版上的圖案轉移到硅片表面的光刻膠上,以實現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或
2025-03-04 12:02
【摘要】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP+++++半導體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wafe
【摘要】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP------+++++半導體元件制造過程可分為?前段
2025-05-20 20:53
【摘要】半導體制造工藝基礎第六章擴散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費克第二定律的解及其特點?特征擴散長度?預淀積+退火。預淀積:氣固相預淀積擴散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導體薄層(結深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴散入硅
2025-03-07 14:53