n結半導體物理第七-資料下載頁
2025-01-06 14:47本頁面
【正文】 P區(qū)為非均勻摻雜的 PN結的雜質(zhì)濃度分布 : 理想線形緩變結： 雜質(zhì)分布： N（ x) = NdNa = ax 結論： 在線性緩變 PN結的空間電荷區(qū)中，電場強度是距離的二次函數(shù)關系，而不再是均勻摻雜 PN結空間電荷區(qū)中電場強度隨空間位置的線性變化關系。 最大電場強度仍然位于冶金結界面處，空間電荷區(qū)之外電場強度也仍然為零。 電場強度與距離的關系 2. 超陡峭的 PN結 對于單邊突變 P＋ N結，考慮更一般的情況，即當x0時， N型區(qū)的摻雜濃度可表示為： N = Bxm 當 m=0時，即為均勻摻雜的情形； 當 m=1時，即為線性緩變 PN結的情形； 當 m為負值時，即為所謂的超陡峭摻雜的 PN結。 采用類似的分析方法，可以求得超陡峭摻雜 PN結單位面積的耗盡區(qū)電容為： PN結小結 PN結 P型區(qū)和 N型區(qū)為同一塊半導體單晶材料； 空間電荷區(qū)： PN結中帶電的區(qū)域，空間電荷區(qū)中大多數(shù)載流子已經(jīng)耗盡，因此空間電荷區(qū)也稱為 耗盡區(qū) 。耗盡區(qū)之外，中性區(qū)。 內(nèi)建電場：內(nèi)建電場位于空間電荷區(qū)，最大值在x=0處，耗盡區(qū)之外， 內(nèi)建電場為零。 內(nèi)建電場同時也會引起內(nèi)建電勢差，使得能帶發(fā)生彎曲。 零偏時， PN結中沒有凈的電流，因此整個 PN結中各處的費米能級保持恒定。 反偏 PN結 PN結加反向置電壓 VR時， PN結空間電荷區(qū)中電場增強，PN結勢壘增大， PN結兩側耗盡區(qū)進一步展寬。 反偏 PN結呈現(xiàn)出電容特性，一般稱之為 PN結勢壘電容。 突變結 本章作業(yè)題
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