n結(jié)半導(dǎo)體物理第七-資料下載頁(yè)
2025-01-06 14:47本頁(yè)面
【正文】 P區(qū)為非均勻摻雜的 PN結(jié)的雜質(zhì)濃度分布 : 理想線形緩變結(jié)： 雜質(zhì)分布： N（ x) = NdNa = ax 結(jié)論： 在線性緩變 PN結(jié)的空間電荷區(qū)中，電場(chǎng)強(qiáng)度是距離的二次函數(shù)關(guān)系，而不再是均勻摻雜 PN結(jié)空間電荷區(qū)中電場(chǎng)強(qiáng)度隨空間位置的線性變化關(guān)系。 最大電場(chǎng)強(qiáng)度仍然位于冶金結(jié)界面處，空間電荷區(qū)之外電場(chǎng)強(qiáng)度也仍然為零。 電場(chǎng)強(qiáng)度與距離的關(guān)系 2. 超陡峭的 PN結(jié) 對(duì)于單邊突變 P＋ N結(jié)，考慮更一般的情況，即當(dāng)x0時(shí)， N型區(qū)的摻雜濃度可表示為： N = Bxm 當(dāng) m=0時(shí)，即為均勻摻雜的情形； 當(dāng) m=1時(shí)，即為線性緩變 PN結(jié)的情形； 當(dāng) m為負(fù)值時(shí)，即為所謂的超陡峭摻雜的 PN結(jié)。 采用類(lèi)似的分析方法，可以求得超陡峭摻雜 PN結(jié)單位面積的耗盡區(qū)電容為： PN結(jié)小結(jié) PN結(jié) P型區(qū)和 N型區(qū)為同一塊半導(dǎo)體單晶材料； 空間電荷區(qū)： PN結(jié)中帶電的區(qū)域，空間電荷區(qū)中大多數(shù)載流子已經(jīng)耗盡，因此空間電荷區(qū)也稱(chēng)為 耗盡區(qū) 。耗盡區(qū)之外，中性區(qū)。 內(nèi)建電場(chǎng)：內(nèi)建電場(chǎng)位于空間電荷區(qū)，最大值在x=0處，耗盡區(qū)之外， 內(nèi)建電場(chǎng)為零。 內(nèi)建電場(chǎng)同時(shí)也會(huì)引起內(nèi)建電勢(shì)差，使得能帶發(fā)生彎曲。 零偏時(shí)， PN結(jié)中沒(méi)有凈的電流，因此整個(gè) PN結(jié)中各處的費(fèi)米能級(jí)保持恒定。 反偏 PN結(jié) PN結(jié)加反向置電壓 VR時(shí)， PN結(jié)空間電荷區(qū)中電場(chǎng)增強(qiáng)，PN結(jié)勢(shì)壘增大， PN結(jié)兩側(cè)耗盡區(qū)進(jìn)一步展寬。 反偏 PN結(jié)呈現(xiàn)出電容特性，一般稱(chēng)之為 PN結(jié)勢(shì)壘電容。 突變結(jié) 本章作業(yè)題
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