半導體物理復習劉恩科-資料下載頁
2025-01-13 12:26本頁面
【正文】 勢差 VD越大； 半導體物理 pn結電流電壓特性 正向偏壓下 pn結的費米能級 半導體物理 反向偏壓下 pn結的費米能級 半導體物理 pn結隧道效應 ?原理及描述 ?重摻雜的 p區(qū)和 n區(qū)形成的 pn結稱為隧道結 半導體物理 第六章 半導體表面與 MIS結構 ?表面電場效應 —— MIS結構（金屬－絕緣層－半導體） ?表面勢 ：空間電荷層內的電場從表面到體內逐漸減弱直到為零，電勢發(fā)生相應變化，電勢變化迭加在電子的電位能上，使得空間電荷層內的能帶發(fā)生彎曲，“表面勢 VS”就是為描述能帶變曲的方向和程度而引入的。 半導體物理 多子堆積 多子耗盡 少子反型 半導體物理 強反型條件（推導、理解） 強反型： 0ps pn ?Vs≥2V B ?????????iAB nNqTkV ln0?????????iAs nNqTkV ln2 0T↑ ， NA↑ 襯底雜質濃度越高， Vs就越大，越不容易達到反型。 NA=pp0, 半導體物理 C－ V特性 (1) VG0，多子積累 ?絕對值較大時， ，空穴聚集表面 ， C＝ C0， AB段（半導體看成導通） ?絕對值較小時， C0和 Cs串聯， C隨 V增加而減小， BC段 (2)VG＝ 0 CFB－表面平帶電容 (3) VG0 ?耗盡狀態(tài)： VG增加， xd增大 ， Cs減小， CD段 ?Vs2VB時： EF段（低頻）強反型，電子聚集表面， C＝ C0 GH段（高頻）：反型層中電子數量不能隨高頻信號而變，對電容無貢獻， 還是由耗盡層的電荷變化決定（強反型達到 xdm不隨 VG變化，電容保持最小值）； GH段 半導體物理 第七章 金屬和半導體接觸 ?功函數 ?電子親和能 金屬和 n型半導體接觸能帶圖（ WmWs） （ a）接觸前；（ b）間隙很大； （ c）緊密接觸；（ d）忽略間隙 電勢降落在空間電荷區(qū)和金屬半導體表面之間 電子的流向 半導體物理 兩種金半接觸 ?歐姆接觸 ? 不產生明顯的附加阻抗，而且不會使半導體內部的平衡載流子發(fā)生顯著的變化。 ?整流接觸
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