半導(dǎo)體物理學(xué)(劉恩科第七版)習(xí)題答案(比較完全)-資料下載頁
2025-06-24 19:38本頁面
【正文】 4. 證明方向飽和電流公式（635）可改寫為Js=式中b=un/up,sn和sp分別為n型和p型半導(dǎo)體電導(dǎo)率，si為本征半導(dǎo)體率。 5. 一硅突變pn結(jié)，n區(qū)的rn=5Wcm，tp=1us；p區(qū)的rp=cm，tn=5us,計(jì)算室溫下空穴電流與電子電流之比、飽和電流密度。 6. 條件與上題相同，計(jì)算下列電壓下的勢壘區(qū)寬度和單位面積上的電容：①10V；②0V；③。 7. 計(jì)算當(dāng)溫度從300K增加到400K時(shí)，硅pn結(jié)反向電流增加的倍數(shù)。 8. 設(shè)硅的性緩變結(jié)的雜質(zhì)濃度梯度為5180。1023cm4,，求反向電壓為8V時(shí)的勢壘區(qū)寬度。 9. 已知突變結(jié)兩邊雜質(zhì)濃度為NA=1016cm3,ND=1020cm3,①求勢壘高度和勢壘寬度；②畫出、V（圖。 10. 已知電荷分布r（x）為：①r（x）=0；②r（x）=c。③r（x）=qax(x在0~d之間)，分別求電場強(qiáng)度及電位V（，并作圖。 11. 分別計(jì)算硅n + 、反向電壓為40V時(shí)的勢壘區(qū)寬度。已知NA=5180。1017cm3,VD=。 12. 分別計(jì)算硅n + p結(jié)在平衡和反向電壓45V時(shí)的最大電場強(qiáng)度。已知ND=5180。1015cm3,Vd=。 13. 高阻區(qū)雜質(zhì)濃度為ND=1016cm3,=4180。105V/cm,求擊穿電壓。 14. 設(shè)隧道長度Dx=40nm，求硅、鍺、砷化鎵在室溫下電子的隧道概率。第七章習(xí)題 1. 求AlCu、AuCu、 WAl、 CuAg、AlAu 、MoW 、AuPt的接觸器電勢差，并標(biāo)出電勢的正負(fù)。 2. 兩種金屬A和B通過金屬C相接觸，若溫度相等，證明其兩端a 、b的電勢差同A、B直接接觸的電勢差一樣。如果A是Au,B是Ag, C是Cu或 Al，則Vab是多少伏？ 3. 施主濃度ND=1017cm3的n型硅 ，室溫下的功函數(shù)是是多少？若不考慮表面態(tài)的影響，他分別同Al,Au,Mo接觸時(shí)，形成阻擋層還是反阻擋？。 4. 受主濃度NA=1017cm3的p型鍺，室溫下的功函數(shù)是多少？若不考慮表面態(tài)的影響，他分別同Al,Au,Pt接觸時(shí)，形成阻擋層還是反阻擋？。 5. 。 ①這個(gè)面吸收紅色光或紫色光時(shí)，能放出光電子嗎？ ②用波長為185nm的紫外線照射時(shí)，從表面放出的光電子的能量是多少eV。6. 電阻率為10Wcm的n型鍺和金屬接觸形成 。求加上5V反向電壓時(shí)的空間電荷厚度。7. 在n 型硅的（111）面上與金屬接觸形成肖特基勢壘二極管。若已知?jiǎng)輭靖叨萹fns= ，計(jì)算室溫下的反向飽和電流JST.8. 有一塊施主硬度ND=1016cm3的n型鍺材料，在它的（111）面上與金屬接觸制成肖特基勢壘二極管。已知VD=,。第十二章習(xí)題1. 如圖121所示，設(shè)樣品長為8mm,寬為2mm,，得到10mA沿x方向的電流，在沿樣品垂直方向（+z ），則在樣品長度兩段測的電壓VAC為10mA,設(shè)材料主要是一種流自導(dǎo)電，試求：①材料的導(dǎo)電類型；②霍耳系數(shù)；③載流自濃度；④載流子遷移率。 2. 求本征Ge和Si室溫時(shí)的霍耳系數(shù)。 3. 室溫時(shí)測得Ge和Si的霍耳系數(shù)為零，求電子和空穴濃度。 4. 為判斷Ge的導(dǎo)電類型，測得它的霍耳系數(shù)為負(fù)，而塞貝克系數(shù)為正，該材料的導(dǎo)電類型是什么？說明理由。 5. 對長1cm、寬2nm、,；，測的霍耳電壓為30mV,求： ①霍耳系數(shù)； ②載流子濃度； ③零磁場時(shí)的電阻率。 ④（分別計(jì)算長生學(xué)波和電離雜質(zhì)散射時(shí)的情況，設(shè)等能面為球面）。 6. （Vs），空穴遷移率為780 cm2/（Vs），180。1016cm3,求300K時(shí)： ①本征材料的霍耳系數(shù)； ②室溫時(shí)測得RH=0，求載流子濃度； ③本征電阻率。 7. ，沿長度x方向同以5mA的電流，，求： ①霍耳系數(shù)； ②載流子濃度； ③180。103Wcm，求載流子遷移率。 8. 測得霍耳系數(shù)時(shí)，由于霍耳電極不可能正好做在一個(gè)等勢面上，因此，在沿x方向通電流時(shí)，即使z方向上不加磁場，在霍耳電極兩端也能測出由于不等勢而引起的橫向電壓V0，加磁場后，這個(gè)電壓疊加在霍耳電壓上，因此它要影響測量的準(zhǔn)確性，必須加以消除。試證明：在+ Bz時(shí)測一次橫向電壓，將磁場改變方向后，即 Bz時(shí)再測一次橫向電壓，便能消除V0的影響。 9. 試證明由于熱磁效應(yīng)不等勢電勢V0的影響，測霍耳系數(shù)時(shí)，分別改變次磁場和電流的方向，共測四次橫向電壓，便能消除愛廷豪森效應(yīng)的其他副效應(yīng)。
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