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正文內(nèi)容

半導體物理劉恩科國防工業(yè)出版社第二章-資料下載頁

2025-01-13 12:25本頁面
  

【正文】 電子,在價帶中形成的空穴濃度 p= NAND. 即有效受主濃度為 NAeff≈ N AND ( 3) NA?ND時, 不能向導帶和價帶提供電子和空穴, 稱為雜質的高度補償 *nmeVEmmqmErnrnD42200*2204*17)4(2???????????? ?:解:根據(jù)類氫原子模型nmrmmmqhrnmmqhrnrnr 600 5 0*0*20202020???????????7. 銻化銦的禁帶寬度 Eg=,相對介電常數(shù) ?r=17,電子的有效質量 =, m0為電子的慣性質量,求①施主雜質的電離能, ②施主的弱束縛電子基態(tài)軌道半徑 。
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