半導體物理基礎-資料下載頁
2025-07-25 02:12本頁面
【正文】 極， p區(qū)接負極） 當 pn結加上反向偏壓 V時 ，反向偏壓在勢壘區(qū)產生的電場與內建電場方向一致 ， 勢壘區(qū)的電場增強 ， 勢壘區(qū)也變寬 ， 勢壘高度由 qVD 增高為q(VDV)。 勢壘區(qū)的增強 ， 破壞了載流子的擴散運動和漂移運動之間原有的平衡 ， 增強了漂移運動 ， 使漂移流大于擴散流 。 這時 n區(qū)邊界 nn’處的空穴被勢壘區(qū)的強電場驅向 p區(qū) ， 而 p區(qū)邊界 pp’處的電子被驅向 n區(qū) 。 當這些少數載流子被電場驅走后 ， 內部的少子就來補充 ，形成了反向偏壓下的電子和空穴擴散電流 ， 這種情況好象少數載流子不斷地被抽出來 ， 所以稱為少數載流子的抽取或吸出 。 pn結中總的反向電流等于勢壘區(qū)邊界 nn’和 pp’附近的少數載流子擴散電流之和 。 因為少子濃度很低 ， 而擴散長度基本不變化 ， 所以反向偏壓時少子的濃度梯度也較小；當反向偏壓很大時 ， 邊界處的少子可以認為是零 。 這時少子的濃度梯度不再隨電壓變化 ， 因此擴散電流也不隨電壓變化 ， 所以在反向偏壓下 ， pn結的電流較小并且趨于不變 。 理想 pn結的電流電壓方程 J = Js[exp(qV/kT)1] Js = qDnnp0 Ln + qDppn0 Lp pn結具有單向導電性或整流效應 。在正向偏壓下 ， 正向電流密度隨著正向偏壓呈指數關系迅速增大 。 在反向偏壓下 ，J=Js， 即反向電流密度是常量 ， 與外加電壓無關 。 故稱 Js為反向飽和電流密度 。
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