半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)-資料下載頁(yè)
2025-07-25 02:12本頁(yè)面
【正文】 極， p區(qū)接負(fù)極） 當(dāng) pn結(jié)加上反向偏壓 V時(shí) ，反向偏壓在勢(shì)壘區(qū)產(chǎn)生的電場(chǎng)與內(nèi)建電場(chǎng)方向一致 ， 勢(shì)壘區(qū)的電場(chǎng)增強(qiáng) ， 勢(shì)壘區(qū)也變寬 ， 勢(shì)壘高度由 qVD 增高為q(VDV)。 勢(shì)壘區(qū)的增強(qiáng) ， 破壞了載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)之間原有的平衡 ， 增強(qiáng)了漂移運(yùn)動(dòng) ， 使漂移流大于擴(kuò)散流 。 這時(shí) n區(qū)邊界 nn’處的空穴被勢(shì)壘區(qū)的強(qiáng)電場(chǎng)驅(qū)向 p區(qū) ， 而 p區(qū)邊界 pp’處的電子被驅(qū)向 n區(qū) 。 當(dāng)這些少數(shù)載流子被電場(chǎng)驅(qū)走后 ， 內(nèi)部的少子就來(lái)補(bǔ)充 ，形成了反向偏壓下的電子和空穴擴(kuò)散電流 ， 這種情況好象少數(shù)載流子不斷地被抽出來(lái) ， 所以稱為少數(shù)載流子的抽取或吸出 。 pn結(jié)中總的反向電流等于勢(shì)壘區(qū)邊界 nn’和 pp’附近的少數(shù)載流子擴(kuò)散電流之和 。 因?yàn)樯僮訚舛群艿?， 而擴(kuò)散長(zhǎng)度基本不變化 ， 所以反向偏壓時(shí)少子的濃度梯度也較??；當(dāng)反向偏壓很大時(shí) ， 邊界處的少子可以認(rèn)為是零 。 這時(shí)少子的濃度梯度不再隨電壓變化 ， 因此擴(kuò)散電流也不隨電壓變化 ， 所以在反向偏壓下 ， pn結(jié)的電流較小并且趨于不變 。 理想 pn結(jié)的電流電壓方程 J = Js[exp(qV/kT)1] Js = qDnnp0 Ln + qDppn0 Lp pn結(jié)具有單向?qū)щ娦曰蛘餍?yīng) 。在正向偏壓下 ， 正向電流密度隨著正向偏壓呈指數(shù)關(guān)系迅速增大 。 在反向偏壓下 ，J=Js， 即反向電流密度是常量 ， 與外加電壓無(wú)關(guān) 。 故稱 Js為反向飽和電流密度 。
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