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2025-07-22 02:12 本頁面
【正文】 故稱 Js為反向飽和電流密度 。 這時少子的濃度梯度不再隨電壓變化 ， 因此擴散電流也不隨電壓變化 ， 所以在反向偏壓下 ， pn結(jié)的電流較小并且趨于不變 。 這時 n區(qū)邊界 nn’處的空穴被勢壘區(qū)的強電場驅(qū)向 p區(qū) ， 而 p區(qū)邊界 pp’處的電子被驅(qū)向 n區(qū) 。 正向偏壓在勢壘區(qū)產(chǎn)生了與內(nèi)建電場方向相反的電場 ， 因而減弱了勢壘區(qū)中的電場強度 ， 這就表明空間電荷相應減少 。 由能帶圖可知，勢壘高度正好補償了 n區(qū)和 p區(qū)費米能級之差，使平衡 pn結(jié)的費米能級處處相等，因此 qVD = EFnEFp VD = kT q ln NDNA ni 2 上式表明， VD和 pn結(jié)兩邊的摻雜濃度、溫度、材料的禁帶寬度有關。 由平衡時的 pn結(jié)能帶圖可看出 ， 在 pn結(jié)的空間電荷區(qū)中能帶發(fā)生彎曲 ， 這是空間電荷區(qū)中電勢變化的結(jié)果 。 因此 ， 內(nèi)建電場起著阻礙電子和空穴繼續(xù)擴散的作用 。 它們所存在的區(qū)域稱為 空間電荷區(qū) 。左圖是 n型和 p型半導體的能帶圖 。 設 pn結(jié)的位置在 x=xj處 ， 則結(jié)中的雜質(zhì)分布可以表示為： xxj, NA ND xxj, ND NA 在擴散結(jié)中 ， 若雜質(zhì)分布可以用 x=xj處的切線近似表示 ， 則稱為線性緩變結(jié) ，其雜質(zhì)濃度分布可表示為：NDNA=aj(xxj), 式中 aj 是x=xj處切線的斜率 ， 稱為雜質(zhì)濃度梯度 。 擴散法制造 pn結(jié) 下圖是用擴散法制造 pn結(jié)（也稱擴散結(jié)）的過程。
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