半導(dǎo)體物理器ppt課件(2)-wenkub.com
2025-05-03 12:46 本頁面
【正文】 ?畫出能帶圖說明金屬和重?fù)诫s半導(dǎo)體之間形成歐姆接觸 。圖 414是它們在接觸之前和接觸后的能帶圖。 ?了解肖特基勢壘鉗位晶體管的電路圖和集成結(jié)構(gòu)示意圖 。因?yàn)? ，所以有 2221ddcds rCrr???Sr c?dsrrsddc rrC 22 1?? （ 439） 對于高頻運(yùn)用， 、 和 都應(yīng)該很小。 金屬 半導(dǎo)體結(jié) 肖特基二極管的等效電路 sr dC dr 圖 4 12 肖特基二極管的 等效電路 Cd－結(jié)電容 ， rs－串聯(lián)電阻 。 （ 3）肖特基勢壘的溫度特性優(yōu)于 PN結(jié)。 金屬 半導(dǎo)體結(jié) PN結(jié)二極管之間的比較 肖特基勢壘二極管是多子器件， PN結(jié)二極管是少子器件。 ? －氧化層厚度，以埃為單位。 金屬 半導(dǎo)體結(jié) N 2SiO M （ a ） 耗盡層 ?N N ?N 2S iO M （ b ） N ?N 2S iO M （ c ） ?p 保護(hù)環(huán) 圖 48 實(shí)用的肖特基二極管結(jié)構(gòu)： （ a） 簡單接觸 ， （ b） 采用金屬搭接 ， （ C） 采用保護(hù)環(huán)二極管 。 ?????? ?? 10 TVVpp eIIkTEpdVcppgeLNNNqA DI ??0（ 434） （ 435） 其中 在像硅這樣的共價(jià)鍵半導(dǎo)體中 要比 小的多，結(jié)果是熱離子發(fā)射電流通常遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于少數(shù)載流子電流 b? gE金屬 半導(dǎo)體結(jié) 電壓特性 例：一個(gè)肖特基勢壘二極管， ，計(jì)算勢壘高度和耗盡層寬度。值得指出的是，根據(jù)式（ 428），反向電流應(yīng)為常數(shù)，這與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)出現(xiàn)偏差。 VI?金屬 半導(dǎo)體結(jié) 電壓特性 二、 電流－電壓特性 (理查森－杜師曼（ Richardsondushman）方程 ) 圖 和 肖特基 二 極 管正向 電 流密度 與電壓 的 對應(yīng)關(guān) 系 SiW? GaAsW ?金屬 半導(dǎo)體結(jié) 電壓特性 二、 電流－電壓特性 (理查森－杜師曼（ Richardsondushman）方程 ) 使正向 IV曲線延伸至 ，可以求出參數(shù) ，可以用它和（ 428）式一起來求出勢壘高度。 ?R 22 cmKA ?? ? ? ? 2200* * 1 2 0 *R R m m m m A c m K??? ? ?稱為 有效理查森常數(shù) ，它是在電子向真空中發(fā)射時(shí)的里查森常數(shù)中，用半導(dǎo)體電子的有效質(zhì)量代替自由電子質(zhì)量而得到的。 取半導(dǎo)體內(nèi)為電勢零點(diǎn)，則表面勢 0s????金屬 半導(dǎo)體結(jié) 電壓特性 二、 電流－電壓特性 (理查森 －杜師曼（ Richardsondushman）方程 ) 在 MS 界面 Ts Vs enn ?0?（ 421） （ 422） TbTTnTVcVVVcVseNeeNenn???????????000Tb VcS eNn ???? ? Tb VVcS eNn ??? ? （ 423） 即 當(dāng)有外加電壓 V 時(shí) 金屬 半導(dǎo)體結(jié) 電壓特性 二、 電流－電壓特性 (理查森 －杜師曼（ Richardsondushman）方程 ) 由氣體動力論，單位時(shí)間入射到單位面積上的電子數(shù)即進(jìn)入金屬的電子數(shù)為 thSvn41?? mkTvth ?8式中 （ 424） 為熱電子的平均熱運(yùn)動速度， 為電子有效質(zhì)量。進(jìn)入金屬之后它們在金屬中碰撞以給出這份多余的能量之前，由于它們的等效溫度高于金屬中的電子，因而把這些電子看成是熱的。 金屬 半導(dǎo)體結(jié) ● 學(xué)習(xí)要求 ?什么是肖特基效應(yīng)？解釋肖特基效應(yīng)的物理機(jī)制。 mx bq ??2202000161616mmmqqEkxqEkxqxkE??????????? ? 0?dxxdE令 ，由（ 411）式得到 （ 412） 金屬 半導(dǎo)體結(jié) 二、勢壘降低的大小和發(fā)生的位置 由于 ? ?mxE 2016bmmqq q xkx????? ? ? ? ? ?故 0021 6 4b m mmq q Exxk x k? ? ?? ? ? ?? ? ? ? ?510E V cm?1710E V cm?,6, nmxevq mb ??? ?nmxevq mb 1, ??? ?（ 413） 大電場下，肖特基勢壘被鏡像力降低很多。 ??x0?x ???E1 0E ?金屬 半導(dǎo)體結(jié) 一、 鏡像力降低肖特基勢壘高度（肖特基效應(yīng)） 將原來的理想肖特基勢壘近似地看成是線性的，因而界面附近的導(dǎo)帶底勢能曲線寫做
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1