半導(dǎo)體存儲器hppt課件-wenkub.com
2025-01-14 16:28 本頁面
【正文】 方法 :先進(jìn)行位擴(kuò)展后再進(jìn)行字?jǐn)U展。 把 1K 4RAM擴(kuò)展成 4K 8RAM 例 解： 確定需用的 1K 4RAM芯片數(shù) 210=1k 212=4k， CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 2 4 譯碼器 A11 A10 A0 A9 D3 D2 D1 D0 1K?4 (1) 1K?4 (2) 1K?4 (3) 1K?4 (4) R/W Y0 Y3 A11 A10 選中片序號 對應(yīng)的存儲單元 0 0 1 1 1 0 0 1 2114(1) 2114(2) 2114(3) 2114(4) 0000 ~ 1023 1024 ~ 2047 2048 ~ 3071 3072 ~ 4095 用 1K?4接成 4K?4位型存儲器時(shí)，高位 地址和存儲單元的關(guān)系如下表： 片一片存儲容量 總存儲容量 881 88 ????? KKN8片的 10條 I/O線共用，擴(kuò)展 三位 高位地址線 A A1 A12， 控制 8片的片選端。 字?jǐn)?shù)要增加 ，地址線就要做相應(yīng)增加。 位擴(kuò)展： 存儲器的 字?jǐn)?shù)不變 ，每個(gè)字的 位數(shù) 需要 增加 。 D1 W3 W2 W1 W0 地 址 譯 碼 器 讀寫 及 輸入 /輸出控制 I / O1 I / O0 CS R / W A0 A1 D1 D0 D0 存儲矩陣 二、 存儲器的整體結(jié)構(gòu) RAM的電路符號： An1 A0 R/W … CS D0 Dm1 … 2n?m … … RAM組件及其連接 常用 RAM組件的類型很多，以下介紹 兩種： RAM2114和 RAM6116。 DDRII的詳細(xì)規(guī)格目前尚未確定。當(dāng)前，幾乎所有的 CPU都裝有一級 CACHE來提高效率，隨著 CPU時(shí)鐘頻率的成倍提高， CACHE不被選中對系統(tǒng)性能產(chǎn)生的影響將會越來越大，而 CACHE DRAM所提供的二級 CACHE正好用以補(bǔ)充 CPU一級 CACHE之不足，因此能極大地提高 CPU效率。 SDRAM（ Double Data Rate二倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器） 作為 SDRAM的換代產(chǎn)品，它具有兩大特點(diǎn)：其一，速度比 SDRAM有一倍的提高；其二，采用了 DLL（ Delay Locked Loop：延時(shí)鎖定回路）提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號。 （ Rambus DRAM，高頻動態(tài)隨機(jī)存取存儲器） Rambus公司獨(dú)立設(shè)計(jì)完成的一種內(nèi)存模式，速度一般可以達(dá)到 500~530MB/s，是 DRAM的 10倍以上。 （ Window RAM，窗口隨機(jī)存取存儲器） 韓國 Samsung公司開發(fā)的內(nèi)存模式，是 VRAM內(nèi)存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入 /輸出控制器，并采用 EDO的資料存取模式 ,因此速度相對較快，另外還提供了區(qū)塊搬移功能（ BitBlt），可應(yīng)用于專業(yè)繪圖工作上。它一般應(yīng)用于中檔以下的Pentium主板標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存，后期的 486系統(tǒng)開始支持 EDO DRAM，到 96年后期， EDO DRAM開始執(zhí)行。多用于高級顯卡中的高檔內(nèi)存。 DRAM（ Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器） 改良版的 DRAM，大多數(shù)為 72Pin或 30Pin的模塊。每 6顆電子管組成一個(gè)位存儲單元，因?yàn)闆]有電容器，因此無須不斷充電即可正常運(yùn)作，因此它可以比一般的動態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定，往往用來做高速緩存。 167。 ROM實(shí)現(xiàn)邏輯函數(shù) 譯 碼 器 A B C W7 W0 W6 W5 W4 W3 W2 W1 F1 F2 F3 CBACABF 1 ??A2 A1 A0 CBACBAA B CF 2 ??? BCACABF 3 ??【 例 】 試用ＲＯＭ設(shè)計(jì) — 個(gè)八段字符顯示的譯碼器 ， 其真值表由表 。它所存儲的信息可以用紫外線或 X 射線照射擦去，然后又可以重新編制信息。 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 1 0 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 內(nèi) 容 一次可編程序的 ROM ，在出廠時(shí)全部存儲 “ 1”，用戶可根據(jù)需要將某些單元改寫為 “ 0
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