半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)-資料下載頁(yè)
2025-08-15 21:00本頁(yè)面
【正文】 PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況 模 擬 電 子 技 術(shù) PN結(jié)具有一定的電容效應(yīng)，它由兩方面的因素決定。 一是勢(shì)壘電容 CB ， 二是擴(kuò)散電容 CD 。 模 擬 電 子 技 術(shù) (1) 勢(shì)壘電容 CB 勢(shì)壘電容是由空間電荷區(qū)的離子薄層形成的。當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時(shí)，離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變，這相當(dāng) PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電。勢(shì)壘電容的示意圖見圖 。 圖 勢(shì)壘電容示意圖 模 擬 電 子 技 術(shù) 擴(kuò)散電容是由多子擴(kuò)散后，在 PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。因 PN結(jié)正偏時(shí)，由 N區(qū)擴(kuò)散到 P區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復(fù)合，形成正向電流。剛擴(kuò)散過來的電子就堆積在 P 區(qū)內(nèi)緊靠 PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線。 (2) 擴(kuò)散電容 CD 反之，由 P區(qū)擴(kuò)散到 N區(qū)的空穴，在 N區(qū)內(nèi)也形 成類似的濃度梯度分布曲線。擴(kuò)散電容的示意圖 如圖 。 模 擬 電 子 技 術(shù) 圖 擴(kuò)散電容示意圖 當(dāng)外加正向電壓 不同時(shí)，擴(kuò)散電流即 外電路電流的大小也 就不同。所以 PN結(jié)兩 側(cè)堆積的多子的濃度 梯度分布也不同，這 就相當(dāng)電容的充放電 過程。勢(shì)壘電容和擴(kuò) 散電容均是非線性電 容。 模 擬 電 子 技 術(shù) 當(dāng)加于 PN結(jié)兩端的反向電壓增大到一定值（ 擊 穿電壓 ）時(shí)，二極管的反向電流將隨反向電壓的增 加而急劇增大，這種現(xiàn)象稱為 反向擊穿 。反向擊穿 后，只要 反向電流和反向電壓的乘積不超過 PN結(jié)容 許的耗散功率 ， PN結(jié)一般不會(huì)損壞。 擊穿 電擊穿（可恢復(fù)） 熱擊穿（不可恢復(fù)） 擊穿 齊納擊穿（＜ 6V），具有負(fù)溫度系數(shù) 雪崩擊穿（＞ 6V），具有正溫度系數(shù) 模 擬 電 子 技 術(shù) 本節(jié)小結(jié) 學(xué)完本節(jié)內(nèi)容后需要掌握以下內(nèi)容： ； 單向?qū)щ娦? 兩種擊穿：齊納擊穿（擊穿電壓小于 6伏） 雪崩擊穿（擊穿電壓大于 6伏）
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