半導(dǎo)體元器件的基本知識-資料下載頁
2025-02-21 15:11本頁面
【正文】 6. 集電極最大允許耗散功耗 PCM PCM取決于三極管允許的溫升，消耗功率過大，溫升過高會燒壞三極管。 PC ? PCM =IC UCE 硅 管允許結(jié)溫約為 150?C， 鍺 管約為 70?90?C。 ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作區(qū) 由三個極限參數(shù)可畫出三極管的安全工作區(qū) IC UCE O 晶體管參數(shù)與溫度的關(guān)系 溫度每增加 10?C， ICBO增大一倍。硅管優(yōu) 于鍺管。 溫度每升高 1?C， UBE將減小 –(2~)mV， 即晶體管具有負溫度系數(shù)。 溫度每升高 1?C， ? 增加 %~%。 晶閘管 (Thyrister) ? 普通晶閘管 可控硅（晶體閘流管） SCR（ Silicon Controlled Rectifier) 1956年美國貝爾實驗室發(fā)明 1957年美國通用電氣公司開發(fā)出第一只產(chǎn)品 1958年商業(yè)化 (16A/300V) ? 一 、 概述 功率等級 : 幾 KA/幾 KV 新品種 : 快速 ,雙向 ,逆導(dǎo) ,可關(guān)斷 ,光激發(fā) 特點 :體小 ,輕重 ,效率高 ,反應(yīng)快 ,高壓大容量 , 弱電控制強電 (幾十毫安控制幾百幾千安 ) 應(yīng)用 :整流 ,逆變 (尤其在大功率場合 )， 一． 晶閘管的結(jié)構(gòu) 符號 ：陽極 A，陰極 K，門極 G（控制極） 外形 ：螺栓形和平板形兩種 螺栓形 ： 螺栓 —陽極 A， 粗引線 – 陰極 K 細引線 門極 G 特點： 安裝方便 K K A G 平板形 ： 兩面分別為陽極 A和陰極 K 中間引出線 門極 G 特點： 散熱效果好，容量大 晶閘管的外形與符號圖 1．晶閘管的 結(jié)構(gòu) 晶閘管的內(nèi)部管芯結(jié)構(gòu)： 基本材料 :硅單晶體 四層三端器件 (P1 N1 P2 N2） 鉬片：導(dǎo)電材料，用于減小 /緩沖相鄰兩種材料的熱膨脹系數(shù)的差別，以保證在各種溫度下接觸可靠 K G A P1 N1 P2 N2 N2 晶閘管內(nèi)部管芯結(jié)構(gòu)圖 2．晶閘管導(dǎo)通關(guān)斷條件 實驗步驟： 1 2 實驗步驟： 3 4 實驗步驟： 5 4 IAIH 結(jié)論： 1 導(dǎo)通條件： UAK0 AND UGK0 (iG 0適當值 ) 2 關(guān)斷條件： IA減小至維持電流以下。 UAK減小到零或加反壓來達到 3 一旦導(dǎo)通，門極失去控制，故可用脈沖信號
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