半導體的基礎知識(編輯修改稿)
2025-09-11 21:00 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 中留下一個空穴。 ★ P型半導體中 空穴是多數(shù)載流子 ， 主要由摻雜形成； 電子是少數(shù)載流子， 由熱激發(fā)形成。 空穴很容易俘獲電子，使雜質(zhì)原子因得到一個電子成為 負離子 。三價雜質(zhì) 因而也稱為 受主雜質(zhì) 。 P型半導體的結(jié)構(gòu)示意圖如圖 1. 5所示。 圖 P型半導體的結(jié)構(gòu)示意圖 圖 P型半導體的結(jié)構(gòu)示意圖 模 擬 電 子 技 術(shù) 摻入雜 質(zhì)對本征半導體的導電性有很大 的影響，一些典型的數(shù)據(jù)如下 : T=300 K室溫下 ,本征硅的電子和空穴濃度 : n = p = 1110/cm3 1 本征硅的原子濃度 : 1022/cm3 3 以上三個濃度基本上依次相差 106/cm3 。 2 摻雜后 N 型半導體中的自由電子濃度 : n=5 1116/cm3 模 擬 電 子 技 術(shù) 三、 PN結(jié) 模 擬 電 子 技 術(shù) 在一塊本征半導體的兩側(cè)通過擴散不同的雜質(zhì) ,分別形成 N型半導體和 P型半導體。此時將在 N型半導體和 P型半導體的結(jié)合面上形成如下物理過程 : 因濃度差 ? 多子的擴散運動 ? 空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場 ? 內(nèi)電場促使少子漂移 ? 內(nèi)電場阻止多子擴散 在交界處電子和空穴相符合形 ?成由 雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū) 模 擬 電 子 技 術(shù) 最后 ,多子的 擴散 和少子的 漂移 達到 動態(tài)平衡 。在 P型半導體和 N型 半導體結(jié)
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