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正文內(nèi)容

雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子知識(shí)(編輯修改稿)

2025-02-09 02:32 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 離,本征激發(fā)可以忽略。 因此: = 0、 費(fèi)米能級(jí) :上式說(shuō)明 :在 時(shí) ,費(fèi)米能級(jí)位于導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂中線處 式中: 為施主雜質(zhì)電離能。由于 ,因此:載流子濃度 隨溫度升高, 就指數(shù)上升( 2)中 間電 離區(qū) 本征激 發(fā) 仍然可以忽略,隨著溫度升高, 已經(jīng)足夠大。 當(dāng)溫度升高使 時(shí), ,施主雜質(zhì)有 1/ 3電離 (即 )( 3)強(qiáng)電離區(qū)( 4)過(guò)渡區(qū) 半導(dǎo)體處于飽和區(qū)和完全本征激發(fā)之間 當(dāng) :時(shí), 和 數(shù)量接近 ,都趨于 , 過(guò)渡區(qū)更接近于本征激發(fā)區(qū) ( 5)高溫本征激發(fā)區(qū) 隨著溫度的升高,是本征激發(fā)產(chǎn)生的本征載流子數(shù)遠(yuǎn)多于雜質(zhì)電離的載流子數(shù),即 , 這時(shí)電中性條件為: 表現(xiàn)的特征與未摻雜
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