半導(dǎo)體封裝制程與設(shè)備材料知識(shí)簡(jiǎn)介(編輯修改稿)
2025-03-19 12:21 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 Few Conceptsl BBD (Blade Broken Detector)l Cutterset: Contact and Opticall Precision Inspectionl UpCut and DownCutl Cutin and Cutremain晶晶 圓圓 切切 割割 (Dicing)Dicing 相關(guān)工藝A Die Chipping 芯片崩角B Die Corrosive 芯片腐蝕C Die Flying 芯片飛片Wmax,Wmin,Lmax,DDY,DY規(guī)格 — DY Wmax Wmin*刀厚 Lmax切割時(shí)之轉(zhuǎn)速予切速 :a.轉(zhuǎn)速 :指的是切割刀自身的轉(zhuǎn)速b.切速 :指的是 Wafer移動(dòng)速度 .主軸轉(zhuǎn)速 :S1230:30000~45000RPMS1440:30000~45000RPM27HEED:35000~45000RPM27HCCD:35000~45000RPM27HDDC:35000~45000RPM晶晶 圓圓 切切 割割 (Dicing) 相關(guān)材料A Tape B Saw BLADE 切割刀C DI 去離子水、 RO 純水切割刀的規(guī)格規(guī)格就包括刀刃長(zhǎng)度、刀刃寬度、鑽石顆粒大小 、濃度及 Nickelbondhardness軟硬度的選擇P4Saw blade 對(duì) 製程的影響 ? Proper Cut Depth Into Tape (切入膠膜的理想深度 )分析 :理想的切割深度可防止1.背崩之發(fā)生。2.切割街區(qū)的 DDY理想的切割深度須切入膠膜 (Tape) 1/3厚度。P11 切割刀的影響 ? Diamond Grit Size (鑽石顆粒大小 ) GRIT SIZE + Top Side Chipping + Blade Loading + Blade Life + Feed Rate +分析 :小顆粒之鑽石1.切割品質(zhì)較好。2.切割速度不宜太快。3.刀子磨耗較大。大顆粒之鑽石1.刀子磨耗量小。2. 切割速度可較快。3. 負(fù)載電流較小。 P15TAPE 粘度對(duì) SAW製程的影響 ? Mounting Tape (膠膜黏力 ) TAPE ADHESION + Cut Quality + Flying Die + 分析 :使用較黏膠膜可獲得1.沒(méi)有飛 Die。2.較好的切割品質(zhì)。潛在風(fēng)險(xiǎn)Die Attach process pick up die影響。 Cost + Die Ejection +P10晶晶 圓圓 切切 割割 (Dicing) 輔助設(shè)備A CO2 Bubbler 二氧化碳發(fā)泡機(jī)B DI Water 電阻率監(jiān)測(cè)儀C Diamonflow 發(fā)生器D UV 照射機(jī)Die Attach(芯片粘貼 ) To attach single die to SMTed substrate把芯片粘貼到已經(jīng)過(guò)表面貼裝 (SMT)和預(yù)烘烤 (Prebake)后的基片上 ,或芯片粘貼到芯片上 ,并經(jīng)過(guò)芯片粘貼后烘烤 (Die Attach Cure)固化粘結(jié)劑 .Passive chip(capacitor)Substrate上片上片 (Die Bond)Die Bond 設(shè)備A HITACHI DB700 B ESEC2023/2023 系列C ASM 829/889/898 系列Die Attach – Hitachi DB700 Key Technology:1. Bonding speed: 30ms/die。 2. Bonding Accuracy X/Y: 25 um。 3. Angle Accuracy : degree。 4. Thin Die Pick Up Solution: Up to 2 mils (Electromagic MultiStep Mode)。5. Integrate Inline Module : X Memory + 1 controller。 6. MultiDie stack Die Capacity: Up to 8 layers once。 上片上片 (Die Bond) Bond 相關(guān)工藝上片上片 (Die Bond) Bond 相關(guān)材料A Substrate / Lead frame B Die Attach FilmC Wafer after Saw D Magazine 彈夾Substrate Basic Structure:CoreAuNiCuSolderMask BondFingerViaHoleBallPadSubstrate Basic InformationCore： 玻璃纖維 +樹(shù)脂 ， 鍍銅層 ： 25um+/5um鍍鎳層 ： 鍍金層 ： Solder Mask： 25um+/5um總厚度 ： 發(fā)料烘烤 線路形成 (內(nèi)層 ) AOI自動(dòng)光學(xué)檢測(cè) 壓合4layer2layer蝕薄銅綠漆 線路形成 塞孔鍍銅Deburr鑽孔鍍 Ni/Au包裝終檢O/S電測(cè)成型AOI自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)出貨BGA基板製造流程(option)上片上片 (Die Bond) Bond 輔助設(shè)備A 銀漿攪拌機(jī) 利用公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)離心力原理脫泡及混合；主要參數(shù)有：MIXING/DEFORMING REVOLUTION SPEED 外加計(jì)時(shí)器；公轉(zhuǎn)用于去泡；自轉(zhuǎn)用于混合；B Curing Oven 無(wú)氧化烤箱主要控制要素：N2 流量；排氣量；profile 溫度曲線；
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