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正文內(nèi)容

半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)與pn結(jié)(編輯修改稿)

2025-01-26 03:13 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 電路中有較大的正向電流。圖 P N什么是 PN結(jié)的單向?qū)щ娦??有什么作用?  ? PN 結(jié)加上一個(gè)很小的正向電壓,即可得到較大的正向電流,為防止電流過(guò)大,可接入電阻 R。2. PN 結(jié)結(jié) 外加反向電壓時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài) (反偏 )    反向接法時(shí),外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)的方向一致,增強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)的作用;外電場(chǎng)使空間電荷區(qū)變寬;    不利于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),有利于漂移運(yùn)動(dòng),漂移電流大于擴(kuò)散電流,電路中產(chǎn)生反向電流 I ;由于少數(shù)載流子濃度很低,反向電流數(shù)值非常小?!『谋M層圖   PN 結(jié)加反向電壓時(shí)截止   反向電流又稱 反向飽和電流 。 對(duì)溫度十分敏感 ,   隨著溫度升高, IS 將急劇增大 。P N外電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向V RIS結(jié)論(1) 加正向電壓(正偏) —— 電源正極接 P區(qū),負(fù)極接 N區(qū)(2) (2) 加反向電壓(反偏) —— 電源正極接 N區(qū),負(fù)極接 P區(qū) PN結(jié)加正向電壓時(shí),具有較大的正向擴(kuò)散電流,呈現(xiàn)低電阻, PN結(jié)導(dǎo)通; PN結(jié)加反向電壓時(shí),具有很小的反向漂移電流,呈現(xiàn)高電阻, PN結(jié)截止 由此可以得出結(jié)論: PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度升高而 _______,金屬導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高而 _______。 A.降低/降低 B.降低/升高 C.升高/降低 D.升高/升高1.用于制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是 _____。 A.磷 B.硅 C.銦 D.鍺B、 D2.在純凈半導(dǎo)體中摻入 3價(jià)元素形成的是 _______型半導(dǎo)體。 A. P B. N C. PN D.電子導(dǎo)電AD4.半導(dǎo)體的載流子隨溫度升高而 _______,也就是說(shuō)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能隨溫度升高而 _______。 A.減小/增強(qiáng)  B.減?。瘻p弱 C.增加/減弱 D.增加/增強(qiáng)D課堂鞏固練習(xí)7. P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是 _______。 A.電子 B.空穴 C.電荷 D.電流5.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力在不同條件下有很大差別,若 _______導(dǎo)電能力會(huì)減弱 A.摻雜非金屬元素 B.增大光照 C.降低環(huán)境溫度 D.摻雜金屬元素C6.在 PN結(jié)的兩端通過(guò)一塊電流表短接,回路中無(wú)其它電源,當(dāng)用光照射該半導(dǎo)體時(shí),電流表的讀數(shù)是 _______。 A.增大 B.減小 C.為零 D.視光照強(qiáng)度而定B8. N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是 _______。 A.自由電子 B.空穴 C.電荷 D.電流AC9.在晶體硅、鍺中,參于導(dǎo)電的是 _______。
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