常用半導體器件基本知識(編輯修改稿)
2025-03-09 14:35 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 為了使三極管具有放大作用，電源 EB 和 EC 的極性必須使 發(fā)射結(jié)上加正向電壓 (正向偏置 )，集電結(jié)加反向電壓 (反向偏置 )。 改變可變電阻 RB，則基極電流 IB、集電極電流 IC 和發(fā)射極電流 IE 都發(fā)生變化，32Chapter 4 常用半導體器件IB/mA 0 IC/mA IE/mA 三極管電流測量數(shù)據(jù)結(jié)論：(1)符合 KCL，且 IC≈IE(2) IB 對 IC有控制作用。 IB的改變控制了 IC的變化，體現(xiàn)了三極管的電流控制作用。電流放大系數(shù)33Chapter 4 常用半導體器件NPN 型三極管應(yīng)滿足 : UBE 0UBC 0即 UC UB UEPNP 型三極管應(yīng)滿足 : UEB 0UCB 0即 UC UB UE三極管實現(xiàn) 放大的 外部條件：外部條件：發(fā)射結(jié)加正向電壓，集電結(jié)加反向電壓。ICIEIB B????UBE+?UCE+?ECICIEIB B????UBE+?UCE+?EC34Chapter 4 常用半導體器件例 在放大電路中測得 4個三極管的各管腳對 “地 ”電位如圖所示。試判斷各三極管的類型（是 NPN型還是PNP型，是硅管還是鍺管），并確定 e、 b、 c三個電極。Chapter 4 常用半導體器件分析：1）工作于放大狀態(tài)的三極管，發(fā)射結(jié)應(yīng)正偏，集電結(jié)應(yīng)反偏，因而 NPN型有 VCVBVE， PNP型有VCVBVE?？梢娀鶚O電位總是居中，據(jù)此可確定基極。2）硅管 |UBE|=~，鍺管 |UBE|=~，則與基極電位相差此值的電極為發(fā)射極，并可判斷是硅管還是鍺管。3）余下一電極為集電極。4）集電極電位為最高的是 NPN型管，集電極電位為最低的是 PNP型管。Chapter 4 常用半導體器件（ c） PNP型硅管， ① 集電極， ② 基極， ③ 發(fā)射極（ a） NPN型硅管， ① 發(fā)射極， ② 基極， ③ 集電極（ d） NPN型鍺管， ① 基極， ② 集電極， ③ 發(fā)射極（ b） PNP型鍺管， ① 集電極， ② 基極， ③ 發(fā)射極Chapter 4 常用半導體器件輸入特性曲線++? ?iBiCuBEuCEiB 和 uBE之間的關(guān)系與二極管相似。 三極管的輸入特性也有一段死區(qū)，只有在發(fā)射結(jié)外加電壓大于死區(qū)電壓時，才會產(chǎn)生 iB。38Chapter 4 常用半導體器件輸出特性曲線(1) 放大區(qū)對 NPN 型管而言，應(yīng)使 ， UC UB UE 。++? ?iBiCuBEuCEIC＝ β IB(2) 截止區(qū)IB = 0 時 , IC = ICEO(很小 )。為了使三極管可靠截止，常使 UBE ? 0，截止時集電結(jié)也處于反向偏置 (UBC 0)，此時 , IC ? 0 。39Chapter 4 常用半導體器件(3) 飽和區(qū) 當 UCE＝ UCES UBE 時， 集電結(jié)處于正向偏置 (UBC 0)，三極管工作于飽和狀態(tài)。 在飽和區(qū)， IC 和 IB 不成正比。++? ?iBiCuBEuCE 當三極管飽和時， UCE ? 0，CE間如同一個開關(guān)的接通； 當三極管截止時， IC ? 0 ， CE之間如同一個開關(guān)的斷開； 可見，三極管除了有 放大作用外，還有 開關(guān)作用 。40Chapter 4 常用半導體器件 管型 工 作 狀 態(tài) 飽和 放大 截 止 UBE/V UCE/V UBE/V UBE/V 開始截止 可靠截止硅管 (NPN)鍺管 (PNP) ? ? ~ ? ~ ? ? ?0 三極管結(jié)電壓的典型值++? ?iBiCuBEuCE41Chapter 4 常用半導體器件例 （ a） （ b） （ c） （ d） （ e） （ f） （ g） （ h） 測得電路中三極管 3個電極的電位如圖所示。問哪些管子工作于放大狀態(tài)，哪些處于截止、飽和、倒置狀態(tài)，哪些已損壞？Chapter 4 常用半導體器件 （ a） （ b） （ c） （ d） （ a）發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均反偏，管子截止。（ b）發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏，管子截止。（ c）發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏，管子放大。（ d）發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均正偏，管子飽和。Chapter 4 常用半導體器件（ e）發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏，管子放大。（ f）發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏，管子放大。（ g）發(fā)射結(jié)偏、集電結(jié)均正偏，管子飽和。（ h） VBE=，遠大于發(fā)射結(jié)正偏時的電壓， 故管子已損壞。 Chapter 4 常用半導體器件（ 1）電流放大系數(shù)直流放大系數(shù)交流放大系數(shù) 在輸出特
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