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正文內(nèi)容

半導(dǎo)體器件與工藝(3)(編輯修改稿)

2025-03-19 04:32 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 目將在其平均值 附近起伏,這種由載流子數(shù)目起伏而引起的噪聲。 ( 3) 噪聲 在半導(dǎo)體中還存在著一種影響很大的噪聲,叫做噪聲,這種噪聲同頻率有關(guān),頻率越低,噪聲越大。 晶體管的功率特性 基區(qū)大注入效應(yīng) ( 1)大注入基區(qū)電大調(diào)制效應(yīng)和自建電場(chǎng) ( 2)大注入基區(qū)少子分布晶體管的功率特性基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)晶體管的功率特性基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)晶體管的功率特性基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)晶體管的功率特性 基區(qū)縱向擴(kuò)展效應(yīng)晶體管的功率特性基區(qū)橫向擴(kuò)展效應(yīng)晶體管的功率特性基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)對(duì)電特性的影響晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng)晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng)晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng)晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng)晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng)晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng)晶體管的功率特性 集電結(jié)最大耗散功率 集電結(jié)最大耗散功率 是晶體管參數(shù)的 變 化不超 過規(guī) 定 值時(shí) 的最大集 電結(jié) 耗散功率。晶體管的功率特性 集電結(jié)最大耗散功率相關(guān)因素 在晶體管的散熱情況和環(huán)境溫度一定時(shí),消耗的功率越大,管芯的結(jié)溫就越高。由于管芯結(jié)溫不能超過晶體管的最高結(jié)溫,因此晶體管的耗散功率也不允許任意大。顯然與最高結(jié)溫對(duì)應(yīng)的耗散功率就是晶體管的最大允許耗散功率,即 晶體管的最高結(jié)溫是指晶體管能正常地、長(zhǎng)期可靠工作的最高 PN結(jié)溫度。 晶體管的功率特性晶體管熱阻 晶體管工作時(shí),集電結(jié)產(chǎn)生的熱量要散發(fā)到周圍空間中去,會(huì)遇到一種阻力,把這種阻力叫 “熱阻 ”。晶體管的熱阻是表征晶體管工作時(shí)所產(chǎn)生的熱量向外散發(fā)的能力,它表示晶體管散熱能力的大小。晶體管的功率特性晶體管熱阻晶體管的功率特性降低晶體管熱阻降低內(nèi)熱阻:通過適當(dāng)減薄硅片和鋁片厚度,增大集電結(jié)面積或周界長(zhǎng)度來減小內(nèi)熱阻。 降低外熱阻:可以通過減小接觸熱阻,增大散熱面積來實(shí)現(xiàn)。 減少接觸熱阻的措施:① 盡量使管座與散熱器的接觸面平整、光滑、清潔且不氧化。② 在接觸界面處涂覆硅脂。 ③ 在安裝晶體管時(shí),接觸面應(yīng)盡量壓緊。晶體管的功率特性 晶體管的二次擊穿 當(dāng)集電極反向偏壓增大到某一值時(shí),集電極電流急劇增加,出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象,這個(gè)首先出現(xiàn)的擊穿現(xiàn)象稱為一次擊穿。當(dāng)集電極反向偏壓進(jìn)一步增大,增大到某一臨界值時(shí),晶體管上的壓降突然降低,而電流繼續(xù)增長(zhǎng),這個(gè)現(xiàn)象稱為二次擊穿。 晶體管的功率特性 晶體管的二次擊穿晶體管的功率特性二次擊穿機(jī)理 —電流集中二次擊穿 在晶體管內(nèi)部出現(xiàn)電流局部集中,形成過熱點(diǎn),導(dǎo)致該處發(fā)生局部熱擊穿的結(jié)果。 晶體管的功率特性鎮(zhèn)流電阻晶體管的功率特性二次擊穿機(jī)理 —雪崩注入二次擊穿晶體管的功率特性集電極最大工作電流 共發(fā)射極電流放大系數(shù)下降到最大值的一半時(shí)所對(duì)應(yīng)的集電極電流。 晶體管的功率特性 不使晶體管損壞和老化,而且工作可靠性又較高的區(qū)域叫做安全工作區(qū)。晶體管的安全工作區(qū)晶體管的開關(guān)特性 晶體管的開關(guān)作用 開關(guān)電路中的晶體管多采用共發(fā)射極接法。晶體管的開關(guān)作用是通過基極輸入脈沖控制集電極回路的通斷來實(shí)現(xiàn)的。 晶體管的開關(guān)特性 晶體管的開關(guān)工作區(qū)域 晶體管做開關(guān)運(yùn)用時(shí),它的 “開 ”與 “關(guān) ”兩種工作狀態(tài)分別對(duì)應(yīng)子輸出特性曲線中的飽和區(qū)和截止區(qū)。 晶體管的開關(guān)特性 飽和區(qū)
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