半導體鍍膜工藝(編輯修改稿)
2025-03-19 12:21 本頁面
【文章內容簡介】 沖沉積分子束外延MBE優(yōu)點 設備簡單，沉膜速度快直接加熱，效率高，能量密度大，蒸發(fā)高熔點材料，避免坩堝本身對薄膜的污染附著力強，任何材料都可以，任何物質均可以濺射 ，附著性強，重復性好鍍膜范圍廣，附著性好，純度高，能在復雜圖形上鍍，成膜速度高可蒸鍍高熔點材料，加熱源在真空室外，簡化真空室，非接觸式加熱，無污染可嚴格控制生長速率以及膜成分，極好的膜厚控制性，缺點 不容易形成結晶膜，附著力差，重復性差裝置復雜，殘余氣體和部分蒸汽電離對薄膜性能有影響附著力較差不能沉積大面積均勻的膜，設備復雜，運行成本高設備需要高壓，設備復雜沉膜速度較蒸鍍慢，受到離子攻擊膜會有缺陷，受到離子攻擊膜會有缺陷，受離子和電子攻擊基材需加冷卻裝置，離子污染費用高 不適合厚膜生長，以及大量生產第五章 小結化學沉積 化學合成方法化學氣相沉積CVD熱氧化 電鍍 其他等離子體PECVD低壓化學氣相沉積LPCVD 有機金屬MOCVD金屬CVD低介電常數CVD常壓化學氣相沉積APCVD 溶膠凝膠涂敷 陽極氧化原子層沉積ALD履帶式 APCVD裝置 APCVDAPCVD就是在壓力接近常壓下進行 CVD反應的一種沉積方式。特點：不需要昂貴復雜的設備，即可高溫快速鍍膜應用：對于膜成分要求不高 可大量生產 例如：鈍化保護膜化學氣相沉積LPCVD裝置示意圖 LPCVD低壓 CVD的設計就是將反應氣體在反應器內進行沉積反應時的操作能力，降低到大約 100Torr(1Torr=)一下的一種 CVD反應特點：低壓下分子平均自由程增加，氣體傳輸速度加快，沉膜速度速度加快，同時氣體分布的不均勻性在很短時間內可以消除，所以能生長出厚度均勻的薄膜。應用：簡單的操作即可在工業(yè)上快速生產均勻性較好膜，例如多晶硅、氮化硅、二氧化硅等 PECVD在低真空的條件下，利用等離子體，以增強化學反應，從而降低沉積溫度，可以在常溫至 350℃ 條件下，沉積氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅及非晶硅膜等（通常 1000℃ 左右）。低溫淀積是 PECVD的一個突出優(yōu)點，淀積的薄膜具有良好的附著性、低針孔密度、良好的階梯覆蓋及電學特性應用：可以鍍純度高性能好的優(yōu)質薄膜例如：在鋁上淀積二氧化硅或者氮化硅。 （低熔點基材，高熔點薄膜）PECVD裝置示意圖 MOCVDMOCVD是常
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