半導體器件原理與工藝31(編輯修改稿)
2025-03-19 04:32 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 光刻膠的對比度167。 對比度：半導體器件原理與工藝 光刻膠的涂敷與顯影半導體器件原理與工藝 顯影中的三個主要問題半導體器件原理與工藝 甩膠半導體器件原理與工藝 半導體器件原理與工藝 先進光刻技術(shù)167。 浸入光刻 Immersion Lithography167。 電子束光刻 Electron beam Lithography167。 XRay Lithography167。 離子束光刻 Ion Beam Lithography167。 納米壓印光刻 Nanoimprint Lithography半導體器件原理與工藝 浸入光刻167。 A liquid with index of refraction n1 is introduced between the imaging optics and the wafer.167。 優(yōu)點 :216。 分辨率與 n成正比 。216。 聚焦深度增加半導體器件原理與工藝 電子束光刻167。 波長216。 例 : 30keV, ?=167。 缺點 :216。 束流大 , 10’s mA216。 產(chǎn)量低 , 10wafers/hr.半導體器件原理與工藝 XRay Lithography167。 Synchrotron Radiation半導體器件原理與工藝 投影式 X射線光刻半導體器件原理與工藝 離子束光刻半導體器件原理與工藝 Pt 淀積半導體器件原理與工藝 FEA 制造半導體器件原理與工藝 納米壓印光刻半導體器件原理與工藝 納米壓印光刻167。 極高分辨率 : 可以形成 10nm的結(jié)構(gòu) 半導體器件原理與工藝 Lift Off 工藝167。 Liftoff is a additive process for metal film patterning:216。 The wafer is pletely covered by a photoresist layer pattened with openings where the final material is to appear216。 The thin film layer is deposited over the surface of the wafer216。 Any material deposited on top of the resist will be removed with the resist, leaving the patterned materials on the wafer167。 Liftoff requires the metal film to be thinn
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