半導(dǎo)體器件原理與工藝31-展示頁
2025-03-07 04:32本頁面
【正文】 正膠感光機(jī)理167。 初始材料不溶于基本溶液167。 PAC的氮分子鍵很弱，光照會使其脫離167。 感光化合物 DQ167。 爆光產(chǎn)生斷鏈 ?正膠216。 串聯(lián)、分支、交聯(lián)167。167。 表面張力：液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力半導(dǎo)體器件原理與工藝 聚合物167。 抗蝕性：在濕刻和干刻中保護(hù)襯底表面的性質(zhì)半導(dǎo)體器件原理與工藝 光刻膠的性能 2167。 敏感度：硅片表面光刻膠中產(chǎn)生一個(gè)良好圖形所需要的一定波長光的最小能量值167。 分辨率 在光刻膠上再現(xiàn)的最小尺寸167。分辨率、對比度、敏感度、粘滯性、粘附性、抗蝕性、表面張力、沾污和顆粒等167。 Solvent半導(dǎo)體器件原理與工藝 光刻膠的性能及其主要的測定方法167。 Resin 或 base materials216。 正膠 Positive Resist曝光區(qū)域去除167。聚焦深度半導(dǎo)體器件原理與工藝 光刻膠167。 最小特征尺寸：K~1, ?~波長， g~間距最小特征尺寸 ~3um半導(dǎo)體器件原理與工藝 投影式光刻167。 Resolution R 167。 Hg Arc lamps 436(Gline), 405(Hline), 365(Iline) nm216。 短波長能量高，曝光時(shí)間可以更短、散射更小半導(dǎo)體器件原理與工藝 光源系統(tǒng)167。 對準(zhǔn)機(jī)和光刻膠的分辨率是曝光波長的函數(shù)167。 對準(zhǔn) : 167。 對準(zhǔn)與曝光機(jī)對準(zhǔn)機(jī) Aligner3個(gè)性能標(biāo)準(zhǔn)167。 甩膠機(jī)216。負(fù)膠： 150 ℃半導(dǎo)體器件原理與工藝 Lithographc System167。 溫度216。 目的216。負(fù)膠：二甲苯溶劑 有機(jī)溶劑使有機(jī)的光刻膠易產(chǎn)生溶漲現(xiàn)象216。利用化學(xué)顯影液把通過曝光后可溶性光刻膠溶解掉，從而把掩膜版的圖形準(zhǔn)確復(fù)制到光刻膠中167。 對準(zhǔn)和曝光工藝代表了光刻中的主要設(shè)備系統(tǒng)半導(dǎo)體器件原理與工藝 套準(zhǔn)偏差+YY+XX+YY+XX完美的套準(zhǔn)精度套準(zhǔn)偏移半導(dǎo)體器件原理與工藝 顯影167。對準(zhǔn)和曝光的目的216。 將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上半導(dǎo)體器件原理與工藝 光刻的工藝流程后烘、刻蝕去膠對位曝光光源涂膠、前烘顯影負(fù)膠 正膠半導(dǎo)體器件原理與工藝 半導(dǎo)體器件原理與工藝 光刻的工藝流程二 .涂膠準(zhǔn)備工作 ：檢查硅片表面的清潔度檢查硅片表面的性質(zhì) 接觸檢查硅片的平面度高溫烘焙增粘劑處理（ OAP處理）半導(dǎo)體器件原理與工藝 涂膠167。 淀積技術(shù)167。 光刻167。 擴(kuò)散167。 半導(dǎo)體襯底167。半導(dǎo)體器件原理與工藝 半導(dǎo)體加工工藝原理167。 概述167。 熱氧化167。 離子注入167。 刻蝕167。 CMOS半導(dǎo)體器件原理與工藝
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