半導(dǎo)體器件物理chapter4集成電路制造工藝(編輯修改稿)
2025-03-19 12:22 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 火：也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮?dú)獾炔换顫姎夥罩羞M(jìn)行的熱處理過程都可以稱為退火。 –激活雜質(zhì)：使不在晶格位置上的離子運(yùn)動(dòng)到晶格位置，以便具有電活性，產(chǎn)生自由載流子，起到雜質(zhì)的作用。 –消除損傷v退火方式： –爐退火 –快速退火：脈沖激光法、掃描電子束、連續(xù)波激光、非相干寬帶頻光源 (如鹵光燈、電弧燈、石墨加熱器、紅外設(shè)備等 )。氧化（ Oxidation）v氧化：制備 SiO2層vSiO2是一種十分理想的電絕緣材料，它的化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定，室溫下它只與氫氟酸發(fā)生化學(xué)反應(yīng)v熱氧化法216。干氧氧化216。水蒸汽氧化216。濕氧氧化216。干氧－濕氧－干氧 (簡(jiǎn)稱干濕干 )氧化法216。氫氧合成氧化v化學(xué)氣相淀積法v濺射法氧化硅層的主要作用? 在 MOS電路中作為 MOS器件的絕緣柵介質(zhì)，器件的組成部分。? 擴(kuò)散時(shí)的掩蔽層，離子注入的 (有時(shí)與光刻膠、Si3N4層一起使用 )阻擋層。? 作為集成電路的隔離介質(zhì)材料。? 作為電容器的絕緣介質(zhì)材料。? 作為多層金屬互連層之間的介質(zhì)材料。? 作為對(duì)器件和電路進(jìn)行鈍化的鈍化層材料?；瘜W(xué)汽相淀積 (CVD)? 化學(xué)汽相淀積 (Chemical Vapor Deposition)：通過氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在襯底上淀積一層薄膜材料的過程。? CVD技術(shù)特點(diǎn)： –具有淀積溫度低、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復(fù)性好、臺(tái)階覆蓋優(yōu)良、適用范圍廣、設(shè)備簡(jiǎn)單等一系列優(yōu)點(diǎn)。 –CVD方法幾乎可以淀積集成電路工藝中所需要的 各種薄膜，例如摻雜或不摻雜的 SiO多晶硅、非晶硅、氮化硅、金屬 (鎢、鉬 )等。252。常壓化學(xué)汽相淀積 (APCVD)252。低壓化學(xué)汽相淀積 (LPCVD)252。等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積 (PECVD)物理氣相淀積 (PVD)? 蒸發(fā)（ Evaporation）：在真空系統(tǒng)中，金屬原子獲得足夠的能量后便可以脫離金屬表面的束縛成為蒸汽原子，淀積在晶片上。按照能量來(lái)源的不同，有燈絲加熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)兩種。? 濺射（ Sputtering）：真空系統(tǒng)中充入惰性氣體，在高壓電場(chǎng)作用下，氣體放電形成的離子被強(qiáng)電場(chǎng)加速，轟擊靶材料，使靶原子逸出并被濺射到晶片上。圖形轉(zhuǎn)移： –光刻：接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子束光刻
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