半導體工藝過程(編輯修改稿)
2025-03-19 04:34 本頁面
【文章內容簡介】 ev以上擴 散 與 離子注入退火的作用：退火的方法：：用高溫爐把硅片加熱至8001000℃ 并保持 30分鐘特點：方法簡單，設備兼容，但高溫長時間易導致雜質的再擴散。薄膜沉 積l 根據需要，在晶圓的表面沉積一層目標材料實現(xiàn)一定功能的過程稱為薄膜沉積，薄膜沉積包括以下幾個方面l 外延生長技術l 電介質淀積l 多晶硅淀積l 金屬化薄膜沉 積? 物理氣相沉積（ PVD)指的是利用某種物理的過程，如物質的熱蒸發(fā)或在受到粒子束轟擊時物理表面原子的濺射現(xiàn)象，實現(xiàn)物質從原物質到薄膜的可控的原子轉移過程。物理氣相沉積技術中最為基本的兩種方法就是蒸發(fā)法和濺射法，另外還有離子束和離子助等等方法。 薄膜沉 積? 化學氣相沉積 (CVD)顧名思義，利用氣態(tài)的先驅反應物，通過原子、分子間化學反應的途徑生成固態(tài)薄膜的技術。? 在高質量的半導體晶體外延技術以及各種絕緣材料薄膜的制備中大量使用了化學氣相沉積技術。比如，在 MOS場效應管中，應用化學氣相方法沉積的薄膜就包括多晶硅，二氧化硅、氮化硅等。薄膜沉 積? 化學氣象沉積指利用化學反應的方式在反應室內將反應物（通常為氣體 )生成固態(tài)的生成物，并沉積 在硅片表面的一種薄膜沉積技術。? 氣相淀積具有很好的臺階覆蓋特性? APCVD = Atmospheric Pressure CVD，常壓 CVD? LPCVD = Low Pressure CVD，低壓 CVD? PECVD = Plasma Enhanced CVD，等離子體 CVD? HDPCVD = HighDensity CVD，高密度 CVD薄膜沉 積? 氣體 通過熱反應腔時發(fā)生化學反應薄膜沉 積? CVD反 應過 程：1) 參加反應的氣體混合物被輸運到沉積區(qū)2) 反應物由主氣流擴散到襯底表面。3) 反應物分子吸附在襯底表面上4) 吸附物分子間或吸附分子與氣體分子間發(fā)生化學反應，生成硅原子和化學反應副產物，硅原子沿襯底表面遷移并結合進入晶體點陣內5) 反應副產物分子從襯底表面解吸6) 副產物分子由襯底表面外擴散到主氣流中，排出沉積區(qū)。半 導 體制造 過 程控制? 微電子制造的過程控制問題可分成四種類型 (Lee, 1990)：設備管理，污染控制 (contamination control)，材料操作及單元操作控制。 ? 主要的材料操作及單元操作有晶體生長，氧
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