半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)-展示頁(yè)
2024-08-30 21:00本頁(yè)面
【正文】 導(dǎo)體原子中的價(jià)電子形成共價(jià)鍵，而多余的一個(gè)價(jià)電子因無(wú)共價(jià)鍵束縛而很容易掙脫原子核的束縛成為自由電子。摻入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱為 雜質(zhì)半導(dǎo)體 。 （ 動(dòng)畫(huà) 12） 圖 空穴在晶格中的移動(dòng) 模 擬 電 子 技 術(shù) 二、雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì)，可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性發(fā)生顯著變化。 只不過(guò)空穴的運(yùn)動(dòng)是靠相鄰共價(jià)鍵中的價(jià)電子依次充填空穴來(lái)實(shí)現(xiàn)的 。 本征激發(fā)和復(fù)合在一定溫度下會(huì)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。 模 擬 電 子 技 術(shù) 可見(jiàn)因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)的，稱為 電子空穴對(duì) 。 自由電子產(chǎn)生的同時(shí)，在其原來(lái)的共價(jià)鍵中就出現(xiàn)了一個(gè)空位，原子的電中性被破壞，呈現(xiàn)出正電性，其正電量與電子的負(fù)電量相等，人們常稱呈現(xiàn)正電性的這個(gè)空位為 空穴 。 圖 硅原子空間排列及共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖 (a) 硅晶體的空間排列 (b) 共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖 (c) 模 擬 電 子 技 術(shù) 電子空穴對(duì) 當(dāng)導(dǎo)體處于熱力學(xué)溫度 0K時(shí) ， 導(dǎo)體中沒(méi)有自由電子 。 共價(jià)鍵中的價(jià)電子為這些原子所共有 ， 并為它們所束縛 ， 在空間形成排列有序的晶體 （ 單晶體 ） 。 一、本征半導(dǎo)體 模 擬 電 子 技 術(shù) 本征半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 硅和鍺是四價(jià)元素 ， 在原子最外層軌道上的四個(gè)電子稱為 價(jià)電子 。 制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到%， 常稱為 “ 九個(gè) 9”。 半導(dǎo)體的特性 : 光敏特性 （ 用于制作光敏電阻、二極管、三極管等 ） 熱敏特性 （ 用于制作電阻 ） 摻雜特性 （ 用于制作半導(dǎo)體器件 ）。 半導(dǎo)體的電阻率為 103～ 109 ??cm。 模 擬 電 子 技 術(shù) 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 一、本征半導(dǎo)體 二、雜質(zhì)半導(dǎo)體 三、 PN結(jié) 模 擬 電 子 技 術(shù) 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 根據(jù)物體導(dǎo)電能力 (電阻率 )的不同，物體分為導(dǎo)體、絕緣體和 半導(dǎo)體 。模 擬 電 子 技 術(shù) 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 知識(shí)目標(biāo)： ；
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