半導體器件基礎(2)-展示頁
2025-05-22 12:03本頁面
【正文】 E eAeAxn /2/39。1)39。( ??? ?0 2 ???? Ax)1()1()(/0//0??????kTqVEEEEnLxkTqVEEEBEEBenLDqAIeenxn半導體器件 通用解 1 ? 集電區(qū)的解 ?通解 : CC LxLxC eAeAxn /39。1)39。 2 ???? Ax)1()1()39。/0???????kTqVCCCCnLxkTqVCCCBCCBenLDqAIeenxn半導體器件 通用解 2 ? 基區(qū)通解 BB LxLxB eAeAxp /2/1)( ??? ?見 半導體器件 簡化關(guān)系式 ? 當 WLB時 ? ?WxpWppxpWxWpWxpxpBBBBBBB)0()()0()()(1)0()(???????????????????0 w )0(Bp?)(WpB?x 半導體器件 簡化關(guān)系式 1 ? 特性參數(shù) 2222112111211111?????????????????????????????????BEEBBEdcBEEBBEdcBTEEBBELWLWNNDDLWLWNNDDLWLWNNDD????半導體器件 EM方程 ? BJT的端口特性 ? P289 半導體器件 理論和實驗的偏差 ? 共基極輸入特性 ?理論特性中發(fā)射極電流與 VCB無關(guān) ?實際特性 :IE隨 VCB增加顯著增加 ? 共基極輸出特性 ?理論 : VCB無限制 ?實際 :最大為 VCB0 半導體器件 理論和實驗的偏差 1 ? 共發(fā)射極輸入特性 ?大部分是一致的 ? 共發(fā)射極輸出特性 ?理論 :完全水平 ?實際 :向上傾斜 , 有最大 VCE限制 半導體器件 基區(qū)寬度調(diào)制 ? W與外加電壓有關(guān) W WB kTqVBBEEBepWDqAI0?2211??????????BEEBBEdcLWLWNNDD?半導體器件 基區(qū)寬度調(diào)制 1 ? 對共基極 22111???????????BEEBBEd
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