半導(dǎo)體器件2修改版-展示頁
2025-05-08 04:29本頁面
【正文】 極電流的實(shí)際方向 NPN型 PNP型 N N P 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) e c b 發(fā)射極 集電極 基極 P P N 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) e c b 發(fā)射極 集電極 基極 BJT的結(jié)構(gòu)與工藝 理想 NPN摻雜分布 ?集電結(jié)外延，發(fā)射結(jié)離子注入 e b c be cIBIEIC( a ) 共基極beIBIEIC( b ) 共發(fā)射極beIBIEIC( c ) 共集電極cc 三極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) : （ 1）發(fā)射區(qū)的摻雜濃度＞＞集電區(qū)摻雜濃度。 BJT三個(gè)電極之間可以組成不同的輸入和輸出回路 NPN型 BJT三極管的共發(fā)射極連接 結(jié)點(diǎn)電流 ： IE = IB + IC 制備工藝 (2)混合隔離的縱向 NPN管 (1) PN結(jié)隔離的縱向 NPN管 （氧化 (SiO2)光刻 埋層擴(kuò)散 去氧化層） –進(jìn)行大劑量 As+注入并退火，形成 n+埋層 –利用 HF腐蝕掉硅片表面的氧化層 P N+ （ 提供集電極電流的低阻通路） P N+ N+ P N+ N –將硅片放入外延爐中進(jìn)行外延，外延層的厚度 和摻雜濃度一般由器件的用途決定 PN結(jié)隔離 （氧化 (SiO2)光刻 擴(kuò)散 去氧化層） P N+ N P+ P+ （氧化 光刻） P SiO2 N+ N P+ P+ 基區(qū) （基區(qū)擴(kuò)散 去氧化層） P N+ N P P+ P+ （集電區(qū)） （氧化 光刻 擴(kuò)散） P SiO2 N+ N P N+ N+ P+ P+ 發(fā)射區(qū)（集電區(qū)） （去氧化層） P N+ N P N+ N+ P+ P+ （ 引線氧化 接觸孔光刻 蒸鋁引線光刻） P SiO2 N+ N N+ N+ P+ P+ 反刻鋁 P 合金： 使 Al與接觸孔中的硅形成良好的歐姆接觸，一般是在 450℃ 、 N2H2氣氛下處理 20～ 30分鐘 形成鈍化層 在低溫條件下 (小于 300℃ )淀積氮化硅 刻蝕氮化硅，形成鈍化圖形 N＋ 埋層用于降低集電極串連電阻 BJT的工作 原理 （ NPN管） BJT在工作時(shí)一定要加上適當(dāng)?shù)闹绷髌秒妷骸? 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 ?；竟采浞糯箅娐啡缬覉D。 發(fā)射極電流： IE= IEN＋ IEP? IEN NNPBBVCCVRbRCebcBII EN EP I I E IC IB 發(fā)射結(jié)正偏，有利于多子的擴(kuò)散。同時(shí)，基區(qū)的空穴也擴(kuò)散到發(fā)射區(qū)，形成電流 IEP，但由于發(fā)射區(qū)的雜質(zhì)濃度比基區(qū)高得多（一般高幾百倍），因此空穴流與電子流相比可忽略不計(jì)。 基極電流： IB ≈ IBN NNPBBVCCVRbRCebcBII EN EP I I E IC IB 由發(fā)射區(qū)向基極注入的電子，即成為基區(qū)內(nèi)的少子，稱為非平衡載流子，并在基區(qū)靠近發(fā)射結(jié)的邊界積累起來，在基區(qū)中形成一定的濃度梯度，因此自由電子向集電極方向擴(kuò)散，擴(kuò)散的過程中會(huì)與基區(qū)中的空穴復(fù)合，形成基極電流 IBN。 BJT的特性參數(shù) ?發(fā)射效率： 0≤ ≤1，通過使 盡可能的接近 1，可以獲得更大的 BJT電流增益。 0≤ ≤1，在基區(qū)中復(fù)合的載流子越少， 越大，其盡可能接近 1時(shí)， BJT電流增益越大。 （ 2）當(dāng) uCE=1V時(shí)， 集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收集電子，所以基區(qū)復(fù)合減少， 在同一 uBE 電壓下， iB 減小。 （ 3） uCE ≥1V再增加時(shí)，曲線右移很不明顯。 （ 1）當(dāng) uCE=0 V時(shí)，因集電極無收集作用， iC=0。這時(shí)，發(fā)射到基區(qū)的電子都被集電極收集，形成 iC。 同理，可作出 iB=其他值的曲線。
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1