半導(dǎo)體器件2修改版(編輯修改稿)
2025-05-26 04:29 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ） uCE ≥1V再增加時(shí)，曲線右移很不明顯。 死區(qū)電壓 硅 鍺 導(dǎo)通壓降 硅 鍺 (2)輸出特性曲線 IC=F(UCE)? IB=CONST 現(xiàn)以 iB=60uA一條加以說(shuō)明。 （ 1）當(dāng) uCE=0 V時(shí)，因集電極無(wú)收集作用， iC=0。 （ 2） uCE ↑ → Ic ↑ （ 3） 當(dāng) uCE ＞ 1V后，收集電子的能力足夠強(qiáng)。這時(shí)，發(fā)射到基區(qū)的電子都被集電極收集，形成 iC。所以 uCE再增加，iC基本保持不變。 同理，可作出 iB=其他值的曲線。 iCCE ( V )( m A )= 6 0 u AI Bu8 6 4 2 0 =0BBII= 2 0 u ABI = 4 0 u AB = 8 0 u AI= 1 0 0 u AI B 輸出特性曲線可以分為三個(gè)區(qū)域 : 飽和區(qū) —— iC受 uCE顯著控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi) uCE＜ V。 此時(shí)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)也正偏。 截止區(qū) —— iC接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0的曲線的下方。 此時(shí)，發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。 放大區(qū) —— 曲線基本平行等 距。 此時(shí)，發(fā) 射結(jié)正偏，集電 結(jié)反偏。 該區(qū)中有： BC II ?? ?＝iCIBIB =0uCE ( V )( m A )= 2 0 u ABI = 4 0 u ABI = 6 0 u ABI = 8 0 u ABI = 1 0 0 u A飽和區(qū) 放大區(qū) 截止區(qū) 小結(jié) ?BJT的基本概念 ?BJT的結(jié)構(gòu)與工藝 ?BJT的工作原理 ?BJT特性參數(shù) ?BJT特性曲線 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 一． 半導(dǎo)體概要 二． 載流子模型 三． 載流子輸運(yùn) 四． pn結(jié)的靜電特性 五． pn結(jié)二極管： IV特性 六． pn結(jié)二極管：小信號(hào)導(dǎo)納 七． pn結(jié)二極管：瞬態(tài)特性 八． BJT的基礎(chǔ)知識(shí) 9. BJT靜態(tài)特性 10. BJT動(dòng)態(tài)響應(yīng)模型 11. MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ) 12. MOSFET器件基礎(chǔ) 13. JFET 和 MESFET簡(jiǎn)介 理想晶體管模型 ? 基本假設(shè) ① 載流子在基區(qū)的運(yùn)動(dòng)是一維的。 ② 基區(qū)寬度大于載流子的平均自由程、因而能夠?qū)⑤d流子在基區(qū)的輸運(yùn)看作是擴(kuò)散 +漂移 。 ③ 基區(qū)中準(zhǔn)中性近似成立。 ④ 準(zhǔn)中性區(qū)滿足小注入條件。非平衡少于密度低于同一位置上的多子平衡態(tài)密度。 ⑤ 忽略基區(qū)復(fù)合，對(duì)于現(xiàn)代高 ?晶體管這一條是成立的。 ⑥ 穩(wěn)態(tài)條件下工作 ⑦ 發(fā)射區(qū)和集電區(qū)足夠?qū)?,雜質(zhì)在三個(gè)區(qū)中是均勻分布的 邊界條件 ?發(fā)射區(qū) ? ?1)039。39。(0)39。39。(39。39。0/022????????????kTqVEEEEEEEEBenxnxnndxndD?0 X’’ P+ 邊界條件 1 ?基區(qū) 0 X P+ ? ?1)()1()0(0/0/022??????????kTqVBBkTqVBBBBBBCBEBepWpepppdxpdD?W N 邊界條件 2 ?集電區(qū) 0 X’ ? ?1)039。(0)39。(39。0/022????????????kTqVCCCCCCCCBenxnxnndxndD?W 計(jì)算方法 ?只要求出 的分布 ,就可計(jì)算各區(qū)的電流 , 從而計(jì)算出各特性參數(shù) . CBEnpn ??? ,通用解 ?發(fā)射區(qū)的解 ? 發(fā)射區(qū)通解 : EE LxLxE eAeAxn /2/39。39。1)39。39。( ??? ?0 2 ????
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