半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)(參考版)
2024-08-26 21:00本頁(yè)面
【正文】 擊穿 電擊穿（可恢復(fù)） 熱擊穿（不可恢復(fù)） 擊穿 齊納擊穿（＜ 6V），具有負(fù)溫度系數(shù) 雪崩擊穿（＞ 6V），具有正溫度系數(shù) 模 擬 電 子 技 術(shù) 本節(jié)小結(jié) 學(xué)完本節(jié)內(nèi)容后需要掌握以下內(nèi)容： ； 單向?qū)щ娦? 兩種擊穿：齊納擊穿（擊穿電壓小于 6伏） 雪崩擊穿（擊穿電壓大于 6伏） 。 模 擬 電 子 技 術(shù) 當(dāng)加于 PN結(jié)兩端的反向電壓增大到一定值（ 擊 穿電壓 ）時(shí)，二極管的反向電流將隨反向電壓的增 加而急劇增大，這種現(xiàn)象稱為 反向擊穿 。所以 PN結(jié)兩 側(cè)堆積的多子的濃度 梯度分布也不同，這 就相當(dāng)電容的充放電 過(guò)程。擴(kuò)散電容的示意圖 如圖 。剛擴(kuò)散過(guò)來(lái)的電子就堆積在 P 區(qū)內(nèi)緊靠 PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線。 圖 勢(shì)壘電容示意圖 模 擬 電 子 技 術(shù) 擴(kuò)散電容是由多子擴(kuò)散后，在 PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時(shí)，離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變，這相當(dāng) PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電。 一是勢(shì)壘電容 CB ， 二是擴(kuò)散電容 CD 。 由此可以得出結(jié)論： PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴? PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況如圖 1. 8所示。此時(shí) PN結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場(chǎng)的 作用下形成的漂移電流大 于擴(kuò)散電流，可忽略擴(kuò)散 電流， PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。 （動(dòng)畫(huà) 14） 圖 PN結(jié)加正向電壓 時(shí)的導(dǎo)電情況 模 擬 電 子 技 術(shù) (2) PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況 外加的反向電壓有一部分降落在 PN結(jié)區(qū)，方向與PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相同，加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)。擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響， PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性。 模 擬 電 子 技 術(shù) (1) PN結(jié)加正向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況 外加的正向電壓有一部分降落在 PN結(jié)區(qū)，方向與 PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相反，削弱了內(nèi)電場(chǎng)。 模 擬 電 子 技 術(shù) 如果外加
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