半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)(參考版)
2025-07-28 02:12本頁(yè)面
【正文】 。 在反向偏壓下 ，J=Js， 即反向電流密度是常量 ， 與外加電壓無(wú)關(guān) 。 理想 pn結(jié)的電流電壓方程 J = Js[exp(qV/kT)1] Js = qDnnp0 Ln + qDppn0 Lp pn結(jié)具有單向?qū)щ娦曰蛘餍?yīng) 。 因?yàn)樯僮訚舛群艿?， 而擴(kuò)散長(zhǎng)度基本不變化 ， 所以反向偏壓時(shí)少子的濃度梯度也較小；當(dāng)反向偏壓很大時(shí) ， 邊界處的少子可以認(rèn)為是零 。 當(dāng)這些少數(shù)載流子被電場(chǎng)驅(qū)走后 ， 內(nèi)部的少子就來(lái)補(bǔ)充 ，形成了反向偏壓下的電子和空穴擴(kuò)散電流 ， 這種情況好象少數(shù)載流子不斷地被抽出來(lái) ， 所以稱(chēng)為少數(shù)載流子的抽取或吸出 。 勢(shì)壘區(qū)的增強(qiáng) ， 破壞了載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)之間原有的平衡 ， 增強(qiáng)了漂移運(yùn)動(dòng) ， 使漂移流大于擴(kuò)散流 。 故勢(shì)壘區(qū)的寬度也減小 ，同時(shí)勢(shì)壘高度從 qVD下降為 q(VDV)， 如圖所示 。 pn結(jié)加正向偏壓（即 p區(qū)接電源正極， n區(qū)接負(fù)極） 因?yàn)閯?shì)壘區(qū)內(nèi)載流子濃度很小 ， 電阻很大 ， 勢(shì)壘區(qū)外的 n區(qū)和 p區(qū)中的載流子濃度很大 ， 電阻很小 ， 所以外加正向偏壓基本上降落在勢(shì)壘區(qū) 。 pn結(jié)電流電壓特性 平衡 pn結(jié)中 ， 存在著具有一定寬度和勢(shì)壘高度的勢(shì)壘區(qū) ， 其中相應(yīng)地出現(xiàn)了內(nèi)建電場(chǎng)；每一種載流子的擴(kuò)散電流和漂移電流互相抵消 ， 沒(méi)有凈電流通過(guò) pn結(jié)；相應(yīng)地在 pn結(jié)中費(fèi)米能級(jí)處處相等 。 相應(yīng)的電子電勢(shì)能之差即能帶的彎曲量 qVD稱(chēng)為 pn結(jié)的勢(shì)壘高度 。 因能帶彎
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