[信息與通信]半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識(參考版)
2024-10-21 22:17本頁面
【正文】 本章小結(jié)（續(xù)） 。其性能可以用一系列參數(shù)來表征。 BJT是一種電流控制電流型的器件，改變基極電流就可以控制集電極電流。 4． BJT是由兩個 PN結(jié)構(gòu)成的。其特性可以用伏安特性和一系列參數(shù)來描述。 PN結(jié)的基本特點是單向?qū)щ娦?。 在純凈半導(dǎo)體中摻入不同的雜質(zhì) ， 可以得到 N型半導(dǎo)體和 P型半導(dǎo)體 。 UBE= A40K1 5 0 V6K1 5 0 V)(bBEBBB ????????RUVI ＝ ??? ?? II ＝ ????? RIVU ＝2021/03 模擬電路 2. 圖解法 VCC VBB Rb Rc 12V 6V 4KΩ 150KΩ + uCE — IB=40μA iC 非線性部分 線性部分 iC=f(uCE)? iB=40μA CCCCCE RiVu ?＝直流負(fù)載線 斜率： CCCCCC 1RVRVtgK ????? ?＝IB=40μA IC= UCEQ=6V 直流 工作點 M(VCC,0) (12 , 0) UCEQ 6V (0 , 3) ),0(CCCRVNi C CE (V) (mA) =60uA I B u =0 B B I I =20uA B I =40uA B =80uA I =100uA I B ICQ Q 2021/11/102021/03 模擬電路 半導(dǎo)體三極管的型號 第二位： A鍺 PNP管、 B鍺 NPN管、 C硅 PNP管、 D硅 NPN管 第三位： X低頻小功率管、 D低頻大功率管、 G高頻小功率管、 A高頻大功率管、 K開關(guān)管 用字母表示材料 用字母表示器件的種類 用數(shù)字表示同種器件型號的序號 用字母表示同一型號中的不同規(guī)格 三極管 國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體器件型號的命名舉例如下： 3DG110B 2021/03 模擬電路 本章小結(jié) 1． 半導(dǎo)體材料中有兩種載流子：電子和空穴 。 (BR)CEO U (BR)CBO U (BR)EBO U 2021/03 模擬電路 BJT的模型 i(V )(u A )BE8040Bui C I B I B =0 u CE (V) (mA) =20uA B I =40uA B I =60uA B I =80uA B I =100uA 非線性器件 BC II ?＝UD= UCES= iB≈0 iC≈0 一 . BJT的模型 + + + + i u BE + u B CE + C i b e e c 2021/03 模擬電路 截止?fàn)顟B(tài) e c b 放大狀態(tài) UD βIB IC IB e c b 發(fā)射結(jié)導(dǎo)通壓降 UD 硅管 鍺管 飽和狀態(tài) e c b UD UCES 飽和壓降 UCES 硅管 鍺管 直流模型 2021/03 模擬電路 二 . BJT電路的分析方法（直流） 1. 模型分析法（近似估算法） VCC VBB Rb Rc 12V 6V 4KΩ 150KΩ + UBE — + UCE — IB IC +VCC +VBB Rb Rc (+12V) (+6V) 4KΩ 150KΩ + UBE — + UCE — IB IC 例：共射電路如圖，已知三極管為硅管， β=40，試求電路中的 直流量 IB、 IC 、 UBE 、 UCE。 ③ U（ BR） CEO—— 基極開路時 ， 集電極與發(fā)射極之間允許的最大 反向電壓 。 ② U（ BR） CBO—— 發(fā)射極開路時，集電極與基極之間允許的最大 反向電壓。 （ 1）集電極最大允許電流 ICM （ 2）集電極最大允許 功率損耗 PCM 集電極電流通過集電結(jié)時所產(chǎn)生的功耗 PC= ICUCE BICEui(V)IBC=100uAB =80uA=60uA(mA)IIB=0B=40uA=20uABIIPCM PCM 2021/03 模擬電路 （ 3）反向擊穿電壓 BJT有兩個 PN結(jié)，其反向擊穿電壓有以下幾種： ① U（ BR） EBO—— 集電極開路時，發(fā)射極與基極之間允許的最大 反向電壓。 C B OC E O )1( II ??＝+ + ICBO e c b ICEO 2021/03 模擬電路 Ic增加時， ? 要下降。 其大小與溫度有關(guān)。 （ 1）集電極基極間反向飽和電流 ICBO 發(fā)射極開路時，在其集電結(jié)上加反向電壓，得到反向電流。 該區(qū)中有： BC II ?? ?＝iCIBIB =0uCE (V)(mA)=20uABI =40uABI =60uABI =80uABI =100uA飽和區(qū) 放大區(qū) 截止區(qū) 2021/03 模擬電路 四 . BJT的主要參數(shù) （ 2）共基極電流放大系數(shù)
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