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正文內(nèi)容

半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)ppt課件-展示頁

2025-05-15 12:47本頁面
  

【正文】 ebination rate: 單位時間和單位體積內(nèi)復(fù)合掉的電子 空穴對數(shù) 非平衡載流子的直接凈復(fù)合 )( 2022 id nnprprnrn pGRU ??????凈復(fù)合率 =復(fù)合率 產(chǎn)生率 U=RG pnpppnnn ????????? 00代入 ])[( 200 pppnrU d ?????非平衡載流子壽命: ? ?ppnrUpd ??????001?小注入: ? ?001pnrUpd ?????n型 材料: 2 間接復(fù)合 (indirect rebination) 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷在禁帶中形成一定的能級,它們有促進(jìn)復(fù)合的作用。 nt:復(fù)合中心能級上的電子濃度 Nt:復(fù)合中心濃度 pt :復(fù)合中心能級上的空穴濃度 * 俘獲電子 Electron capture * 發(fā)射電子 Electron emission * 俘獲空穴 Hole capture * 發(fā)射空穴 Hole emission tnnpctnnetp petp pnc電子俘獲 (capture)率: 空穴俘獲率: 電子產(chǎn)生 (emission)率: 空穴產(chǎn)生率: 電子的凈俘獲率: Un=俘獲電子 發(fā)射電子 = 熱平衡時: 空穴的凈俘獲率: Up=俘獲空穴 發(fā)射空穴 = tnnpc tnne tp pnc tp pe00 tn pnc 0tnne= = 00 tp npc 0tp pe? ? 000 tnttn nenNnc ??TkEEtttnntceNcnnNnce0)(000?????TkEEctceNn 01??? EF與 Et重合時導(dǎo)帶的平衡電子濃度。 = 00 tp npc 0tp pe復(fù)合中心達(dá)到穩(wěn)定時: 俘獲電子 發(fā)射電子 =俘獲空穴 發(fā)射空穴 tnnpc tnne tppetp pnc = 1nce nn ? 1pce pp ?和 又 )()()(111ppnccpncNnpnpntt ?????凈復(fù)合率: U=俘獲電子 發(fā)射電子 = )(1)(1112ppNcnnNcnnpUtntpi?????通過復(fù)合中心復(fù)合的普遍公式 tnnpc tnne 注意到: 211 inpn ?)(1)(11010200pppNcpnnNcppppnUtntp?????????????非平衡載流子的壽命為 )()()(001010ppnccNpppcpnncUpp
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