半導(dǎo)體物理semiconductorphysics-展示頁
2025-07-27 13:44本頁面
【正文】 面 )有顯著關(guān)系。 School of Microelectronics (2) SiO2層中的固定表面電荷 ? 由于在 SiSiO2界面附近存在過剩硅離子從而產(chǎn)生固定表面正電荷，它一般位于 SiSiO2界面 20nm以內(nèi)，并且不容易漂移。 ? 一般 SiO2中 Na+密度在 1012cm2以上。 School of Microelectronics SiSiO2系統(tǒng)中的表面態(tài)與表面處理 一、 SiSiO2系統(tǒng)中的表面態(tài) 研究表明在 SiSiO2系統(tǒng)中存在著四種基本形式的電荷或 能態(tài)，如下圖所示： 圖 SiSiO2系統(tǒng)中的能態(tài)和電荷 School of Microelectronics (1) SiO2層中可動離子 ? 可動離子包括 Na+、 K+、 H+等。 ? 與此對應(yīng)，半導(dǎo)體表面還有一種“慢態(tài)”，慢態(tài)處于厚度為零點幾納米到幾納米的 Si表面天然氧化層外表面上，也就是處于氧化層 空氣界面上，也可能來自 SiSiO2界面附近的缺陷或位于禁帶中的雜質(zhì)能級?？鞈B(tài)與體內(nèi)交換電子在毫秒或更短的時間內(nèi)完成，慢態(tài)需要毫秒以上直至數(shù)小時或更長。 ? 通常將空態(tài)時呈中性而電子占據(jù)后帶負電的表面態(tài)稱為 受主型表面態(tài) ；而將空態(tài)時帶正電而被電子占據(jù)后呈中性的表面態(tài)稱為 施主型表面態(tài) 。 ? 如果 Si表面生長 SiO2，表面大量懸掛鍵被氧原子飽和，表面態(tài)密度大為降低，實驗測得的表面態(tài)密度常在 1010~1012cm2之間，比理論值低很多。 ? 理想表面并不存在。 School of Microelectronics 表面態(tài)的性質(zhì)： ? 從晶體結(jié)構(gòu)看，由于晶格在表面終止，表面上的每個硅原子都有一個稱為懸掛鍵的未飽和鍵，對應(yīng)的電子狀態(tài)就是表面態(tài)，如圖 。School of Microelectronics 半導(dǎo)體物理 SEMICONDUCTOR PHYSICS 西安電子科技大學(xué) 微電子學(xué)院 School of Microelectronics 半導(dǎo)體表面和表面能級 SiSiO2系統(tǒng)中的表面態(tài)與表面處理 表面能帶彎曲與反型 表面復(fù)合 第五章 半導(dǎo)體表面 School of Microelectronics 半導(dǎo)體表面和表面能級 基本定義： ? 達姆指出晶體自由表面的存在使晶體的周期性勢場在表面中斷，從而引起附加能級，這種能級稱為 達姆表面能級 。 ? 在晶體
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