半導(dǎo)體物理semiconductorphysics(存儲(chǔ)版)
【正文】 濕氧氧化和水汽氧化相比，采用干氧氧化工藝生長(zhǎng)的 SiO2中固定電荷密度最低，因此適當(dāng)增加干氧氧化時(shí)間、降低 SiO2生長(zhǎng)速率都能使固定電荷密度降低。 School of Microelectronics ? 對(duì)已經(jīng)存在于 SiO2中的 Na+，要盡量減少其可動(dòng)性。 ? 因此在趨于平衡的過(guò)程中，如果半導(dǎo)體體內(nèi)有較多的電子填充到表面能級(jí)，半導(dǎo)體表面就因此而帶負(fù)電，反之半導(dǎo)體表面就會(huì)帶正電。 School of Microelectronics ? 對(duì)于圖 (b)所示的表面能級(jí)帶正電、能帶下彎的情況， 那么 p型樣品在近表面區(qū)域其 EF距價(jià)帶頂 Ev的距離就有可能比距導(dǎo)帶底 Ec的距離更遠(yuǎn)，這樣該區(qū)域電子濃度大于空穴濃度，呈現(xiàn) n型反型層。表面 復(fù)合率 Us與表面處的非平衡載流子濃度 (Δp)s成正比 式中 s為表面復(fù)合速度，它反映了表面復(fù)合的強(qiáng)弱。 School of Microelectronics 半導(dǎo)體中表面復(fù)合與體內(nèi)復(fù)合同時(shí)發(fā)生，如果這兩種 不同位置的復(fù)合獨(dú)立發(fā)生互不影響，那么實(shí)際非平衡載流子 的壽命應(yīng)為表面復(fù)合和體內(nèi)復(fù)合的綜合效果，即 1/τv 是體內(nèi)復(fù)合幾率， 1/τs 是表面復(fù)合幾率，而 τ稱為有效 壽命。 圖 半導(dǎo)體表面與體內(nèi)交換電子引起的能帶彎曲情況 School of Microelectronics 說(shuō)明： ? 對(duì)于圖 (a)中表面能級(jí)接受體內(nèi)電子、能級(jí)上彎的情況，n型樣品的近表面區(qū)域?qū)У?Ec距 EF的距離要比體內(nèi)大，同時(shí) EF距價(jià)帶頂 Ev比體內(nèi)更近，也就是近表面區(qū)域電子減少而空穴增多 (多數(shù)載流子耗盡 )，甚至可以出現(xiàn)該區(qū)域轉(zhuǎn)化為 p型 (反型 )的情形。 School of Microelectronics 表面能帶彎曲與反型 ? 處于熱平衡態(tài)的半導(dǎo)體具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)。 ? 清潔石英爐管的方法之一是在爐管內(nèi)通入 HCl。 School of Microelectronics (2) SiO2層中的固定表面電荷與 Si單晶的晶向 (晶面 )、氧 化工藝條件和退火工藝條件等因素有關(guān)。 ? SiSiO2界面處的界面態(tài)可以迅速地從半導(dǎo)體導(dǎo)帶和價(jià)帶俘獲載流子或向?qū)Ш蛢r(jià)帶激發(fā)載流子，是“快態(tài)”。 School of Microelectronics SiSiO2系統(tǒng)中的表面態(tài)與表面處理 一、 SiSiO2系統(tǒng)中的表面態(tài) 研究表明在 SiSiO2系統(tǒng)
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