半導體物理與器ppt課件-展示頁
2025-05-15 12:46本頁面
【正文】 礎(chǔ)之上： 弱場 條件。 而當溫度比較低時，則由于雜質(zhì)原子的凍結(jié)效應，載流子濃度和半導體材料的電導率都隨著溫度的下降而不斷減小。 ?電導率和溫度的關(guān)系 半導體物理與器件 從圖中可見，在非本征激發(fā)為主的 中等溫度區(qū)間 內(nèi)（即大約 200K至 450K之間），此時雜質(zhì)完全離化，即電子的濃度基本保持不變，但是由于在此溫度區(qū)間內(nèi)載流子的 遷移率隨著溫度的升高而下降 ，因此在此溫度區(qū)間內(nèi)半導體材料的電導率也隨著溫度的升高而出現(xiàn)了一段下降的情形。 ?雜質(zhì)濃度增高時，曲線嚴重偏離直線，主要原因： ?雜質(zhì)在室溫下不能完全電離 ?遷移率隨雜質(zhì)濃度的增加而顯著下降 ?由于電子和空穴的遷移率不同，因而在一定溫度下，不一定本征半導體的電導率最小。 半導體物理與器件 ?電阻率（電導率）同時受 載流子濃度 （雜質(zhì)濃度）和遷移率 的影響，因而電阻率和雜質(zhì)濃度不是線性關(guān)系。 半導體物理與器件 右圖所示為 N型和 P型硅單晶材料在室溫 (300K)條件下電阻率隨摻雜濃度的變化關(guān)系曲線。半導體物理與器件 ?電導率和電阻率 ?電流密度： ? 對于一段長為 l， 截面面積為 s，電阻率為 ρ 的均勻?qū)w，若施加以電壓 V，則導體內(nèi)建立均勻電場 E，電場強度大小為： 對于這一均勻?qū)w，有電流密度： IJs???I VEl?//ElIVJ s s ElsRs??? ? ? ?將電流密度與該處的電導率以及電場強度聯(lián)系起來，稱為歐姆定律的微分形式 半導體物理與器件 ?半導體的電阻率和電導率 ? ?? ?? ?11drf
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