極型半導(dǎo)體器ppt課件-展示頁
2025-01-23 21:42本頁面
【正文】 n、 p 型）四種平衡狀態(tài)的能帶圖。 空間電荷區(qū) SW 0S F S SW E E q ?? ? ?SWq?0 Cq E E? ??擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 空間電荷區(qū) 內(nèi)建電場(chǎng) 漂移運(yùn)動(dòng) 熱平衡 MS 結(jié) （僅由半導(dǎo)體表面層雜質(zhì)提供，如 情況） pn?（ 和 都一定，沒有凈電流 ） E內(nèi) nxW2. 熱平衡下的能帶結(jié)構(gòu) ?黃君凱 教授 能帶結(jié)構(gòu)（ Al nSi） M n SiWW ??黃君凱 教授 ? ? ? ? n Si Al ?電 子 能 量 電 子 能 量FM FSEE?能帶彎曲，形成勢(shì)壘。 電子親和能 ： 半導(dǎo)體導(dǎo)帶底電子逸出到真空中所需的最小能量。 功函數(shù) ： 一個(gè)起始能量等于 的電子逸出材料體內(nèi)進(jìn)入真 空中所需的最小能量， 是以電勢(shì)表示的功函數(shù)。 金屬 – 氧化物 – 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) （ MOS 結(jié)構(gòu) ）。 黃君凱 教授 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （ 金屬 絕緣體 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ） （ 金屬 氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ） （ IGFET： MISFET， MOSFET）：表面場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 單極型晶體管 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （ JFET）：體內(nèi)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。黃君凱 教授 第三章 單極型半導(dǎo)體器件 晶體管 雙極型晶體管 （ 結(jié)型晶體管 ）： 有兩種載流子（電子、空穴）參與工作。 單極型晶體管 （ 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ）： 只有一種極性載流子參加工作，而且是多子。 金屬 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （ 肖特基場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ）（ MESFET）：體內(nèi)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 基本結(jié)構(gòu) 金屬 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) （ MS 結(jié)構(gòu) ）。 黃君凱 教授 金屬 – 半導(dǎo)體接觸 金屬 – 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 一、 熱平衡時(shí)的能帶結(jié)構(gòu) 1. 幾個(gè)物理量 電子的真空能級(jí) ：
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