半導(dǎo)體器ppt課件-展示頁
2025-05-15 12:43本頁面
【正文】 － － － － － － － － P型半導(dǎo)體 受主離子 空穴 電子空穴對 2. P型半導(dǎo)體 內(nèi)電場 E ?因多子濃度差 ?形成內(nèi)電場 ?多子的擴散 ?空間電荷區(qū) ?阻止多子擴散，促使少子漂移。 1. N型半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入五價雜質(zhì)元素，例如磷，砷等，稱為 N型半導(dǎo)體 。 自由電子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 自由電子產(chǎn)生的同時，在其原來的共價鍵中就出現(xiàn)了一個空位，稱為 空穴 。 這一現(xiàn)象稱為 本征激發(fā) ， 也稱 熱激發(fā) 。 典型的半導(dǎo)體是 硅 Si和 鍺 Ge， 它們都是 4價元素 。 iti模擬信號 數(shù)字信號 半導(dǎo)體的基本知識 在物理學(xué)中。 處理的電信號為連續(xù)變化的信號時，我們使用的電路為模擬電路。 第五章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 二極管的單相導(dǎo)電特性 特殊二極管 三極管的基本結(jié)構(gòu)和電流放大特性 場效應(yīng)管簡介 電子技術(shù)是利用半導(dǎo)體器件完成對電信號處理的技術(shù)。它包括模擬電子和數(shù)字電子。 處理的信號為不連續(xù)變化、只有在其高低電平中含有用信號時，我們使用的電路為數(shù)字電路。根據(jù)材料的導(dǎo)電能力，可以將他們劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。 sisi硅原子 Ge鍺原子 Ge +4+4硅和鍺最外層軌道上的四個電子稱為 價電子 。 當(dāng)溫度升高或受到光的照射時 ， 束縛電子能量增高 ， 有的電子可以掙脫原子核的束縛 ， 而參與導(dǎo)電 ， 成為 自由電子 。 二 . 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)元素后的半導(dǎo)體稱為 雜質(zhì)半導(dǎo)體 。 N型半導(dǎo)體 多余電子 磷原子 硅原子 +4+4+4 +4+4+4+4+4+5多數(shù)載流子 —— 自由電子 少數(shù)載流子 —— 空穴 + + + + + + + + + + + + N型半導(dǎo)體 施主離子 自由電子 電子空穴對 在本征半導(dǎo)體中摻入三價雜質(zhì)元素，如硼、鎵等。 PN結(jié)合 － －－－－－－++++－+++－+P型 半導(dǎo)體－－++N型 半導(dǎo)體+－+空間電荷區(qū) 多子擴散電流 少子漂移電流 耗盡層 三 . PN結(jié)及其單向?qū)щ娦? 1 . PN結(jié)的形成 用引線分別連接至 PN結(jié)的 P區(qū)和 N區(qū)，并將 PN結(jié)用外殼封裝，便構(gòu)成了二極管。 N 型鍺正 極 引 線 負(fù) 極 引 線外殼金 屬 觸 絲(3) 平面型二極管 用于集成電路制造工藝中。 (2) 面接觸型二極管 PN結(jié)面積大，用 于工頻大電流整流電路。 外電場削弱內(nèi)電場 →耗盡層變窄 →擴散運動＞漂移運動 →多子 擴散形成正向電流 I F － －－－－－－++++－+++－+P 型半導(dǎo)體－－++N 型半導(dǎo)體+－+WER空間電荷區(qū)內(nèi)電場 E正向電流 (2) 加反向電壓 —— 電源正極接 N區(qū)，負(fù)極接 P區(qū) 外電場的方向與內(nèi)電場方向相同。 PN結(jié)加正向電壓時，具有較大的正向擴散電流，呈現(xiàn)低電阻， PN結(jié)導(dǎo)通； PN結(jié)加反向電壓時，具有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻， PN結(jié)截止。 3. PN結(jié) 的伏安特性曲線及表達(dá)式 根據(jù)理論推導(dǎo)， PN結(jié)的伏安特性曲線如圖 正向特性 IF（多子擴散） IR（少子漂移） 反向特性 反向飽和電流 反向擊穿電壓 反向擊穿 熱擊穿 —— 燒壞 PN結(jié) 電擊穿 —— 可逆 硅管的導(dǎo)通壓降為~，鍺管的導(dǎo)通壓降為 ~。 (2) 反向擊穿電壓 URM——— 二極管反向電流 急劇增加時對應(yīng)的反向 電壓值稱為反向擊穿 電壓 UBR。硅二
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1