半導(dǎo)體器ppt課件(已改無錯字)
2023-06-06 12:43:32 本頁面
【正文】 此時發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)也正偏。 截止區(qū) —— iC接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0的曲線的下方。 此時，發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。 放大區(qū) —— 曲線基本平行等 距。 此時，發(fā) 射結(jié)正偏，集電 結(jié)反偏。 該區(qū)中有： CBII???＝iCIBIB =0uCE ( V )( m A )= 2 0 u ABI = 4 0 u ABI = 6 0 u ABI = 8 0 u ABI = 1 0 0 u A飽和區(qū) 放大區(qū) 截止區(qū) 三 . 三極管的主要參數(shù) BCII??BCii??＝?i CE △ =20uA (mA) B =40uA I C u =0 (V) =80uA I △ B B B I B i I B I =100uA C B I =60uA i 一般取 20~200之間 38A60 BC ????? II40A40 )( 60 mA)(BC ??????? ii＝共發(fā)射極電流放大系數(shù)： （ 2）集電極發(fā)射極間的穿透電流 ICEO 基極開路時，集電極到發(fā)射極間的電流 —— 穿透電流 。 其大小與溫度有關(guān)。 （ 1）集電極基極間反向飽和電流 ICBO 發(fā)射極開路時，在其集電結(jié)上加反向電壓，得到反向電流。它實際上就是 一個 PN結(jié)的反向電流。 其大小與溫度有關(guān)。 C B OC E O )1( II ??＝+ + ICBO e c b ICEO Ic增加時， ? 要下降。當(dāng) ?值 下降到線性放大區(qū) ?值的 70％（ 2/3）時，所對應(yīng)的集電極電流稱為集電極最大允許電流 ICM。 （ 1）集電極最大允許電流 ICM （ 2）集電極最大允許功率損耗 PCM 集電極電流通過集電結(jié)時所產(chǎn)生的功耗， PC= ICUCE BICEui( V )IBC= 1 0 0 u AB = 8 0 u A= 6 0 u A( m A )IIB=0B= 4 0 u A= 2 0 u ABIIPCM PCM （ 3）反向擊穿電壓 三極管 有兩個 PN結(jié)，其反向擊穿電壓有以下幾種： ① U（ BR） EBO—— 集電極開路時，發(fā)射極與基極之間允許的最大反向電壓。其值一般幾伏～十幾伏。 ② U（ BR） CBO—— 發(fā)射極開路時，集電極與基極之間允許的最大反向電壓。其值一般為幾十伏～幾百伏。 ③ U（ BR） CEO—— 基極開路時 ， 集電極與發(fā)射極之間允許的最大反向電壓 。 在實際使用時 ， 還有 U（ BR） CER、 U（ BR） CES 等擊穿電壓 。 (BR)CEO U (BR)CBO U (BR)EBO U 場效應(yīng)管簡介 三極管是一種電流控制元件 (iB~ iC)， 工作時 ， 多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行 ， 所以被稱為雙極型器件 。 增強(qiáng)型 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 場效應(yīng)管 分類： 絕緣柵場效應(yīng)管 結(jié)型場效應(yīng)管 場效應(yīng)管 （ Field Effect Transistor簡稱 FET） 是一種電壓控制器件 ， 工作時 ， 只有一種載流子參與導(dǎo)電 ， 因此它是單極型器件 。 場效應(yīng)管因其制造工藝簡單 ， 功耗小 ， 溫度特性好 ， 輸入電阻極高等優(yōu)點 ， 得到了廣泛應(yīng)用 。 一 . 絕緣柵場效應(yīng)三極管 絕緣柵型場效應(yīng)管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，簡稱 MOSFET。 分為： 增強(qiáng)型
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