半導(dǎo)體器ppt課件-展示頁(yè)
2025-01-30 18:23本頁(yè)面
【正文】 陽(yáng)極 a 理想開(kāi)關(guān) 導(dǎo)通時(shí) UD＝ 0 截止時(shí) IS＝ 0 ? 折線化 —— 理想模型 伏安特性 31 V ?硅U（硅二極管典型值） V ?鍺U（鍺 二極管典型值） 導(dǎo)通壓降： 導(dǎo)通時(shí) UD＝ Uon 截止時(shí) IS＝ 0 伏安特性 ? 折線化 —— 恒壓降模型 32 直線斜率： 1/ rD rD=△ U / △ I I=V / R， 忽略導(dǎo)通電壓； I=（ V－ Uon ） / R， 考慮導(dǎo)通電壓； I=(V－ Uon )/( R＋ rD)， 考慮導(dǎo)通電壓和 斜率變化。A以下 鍺 Ge ~ 幾十 181。 二極管的符號(hào)： P N 陽(yáng)極 陰極 25 將 PN結(jié)封裝，引出兩個(gè)電極，就構(gòu)成了二極管。 dbj CCC ??結(jié)電容： 結(jié)電容不是常量！若 PN結(jié)外加電壓頻率高到一定程度，則失去單向?qū)щ娦裕? PN結(jié)及其單向?qū)щ娦? 24 半導(dǎo)體二極管 將 PN結(jié)用外殼封裝起來(lái)，并加上電極引線就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管。 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦? 22 3. PN結(jié)的伏安特性 (小結(jié) ) 正向特性 反向特性 反向擊穿 PN結(jié)的電流方程為 )1( ?? TUUS eIi其中， IS 為反向飽和電流， UT≈26mV， PN結(jié)及其單向?qū)щ娦? 23 4. PN 結(jié)的電容效應(yīng) 1） 勢(shì)壘電容 PN結(jié)外加電壓變化時(shí)，空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變化，有電荷的積累和釋放的過(guò)程，與電容的充放電相同，其等效電容稱(chēng)為勢(shì)壘電容 Cb。 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦? 20 內(nèi)電場(chǎng) 外電場(chǎng) 外電場(chǎng)抵消內(nèi)電場(chǎng)的作用，使耗盡層變 窄，形成較大的擴(kuò)散電流。 ，達(dá)到動(dòng)態(tài) 平衡，形成 PN結(jié)。 PN結(jié) I擴(kuò) I漂 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦? 18 。氣體、液體、固體均有之，包括 電子和空穴的擴(kuò)散！ PN結(jié)及其單向?qū)щ娦? 15 在交界面，由于兩種載流子的濃度差，出 產(chǎn)生擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。 電子 少子 . 注意 雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多子的濃度決定于摻雜原子的濃度； 少子的濃度決定于溫度。 空穴 少子 . 雜質(zhì)半導(dǎo)體 13 2. P型半導(dǎo)體 在純凈的硅晶體中摻入三價(jià)元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了 P型半導(dǎo)體。 本征半導(dǎo)體 12 1. N型半導(dǎo)體 在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了 N型半導(dǎo)體。 無(wú)雜質(zhì) 穩(wěn)定的結(jié)構(gòu) 本征半導(dǎo)體 7 共價(jià)鍵 價(jià)電子共有化，形成共價(jià)鍵的晶格結(jié)構(gòu) 本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)及導(dǎo)電機(jī)理（以硅 Si為例） 本征半導(dǎo)體 8 半導(dǎo)體中有兩種載流子 :自由電子和空穴 自由電子 空穴 本征半導(dǎo)體 9 在外電場(chǎng)作用下，電子的定向移動(dòng)形成電流 + + + + + + + + 本征半導(dǎo)體 10 在外電場(chǎng)作用下，空穴的定向移動(dòng)形成電流 + + + + + + + + 本征半導(dǎo)體 11 （金屬呢？） ,濃度相等。 （電阻率 103～ 109??㎝ ） 。（ 電阻率 106～ 103??㎝ ） 絕緣體： 有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱(chēng)為 絕緣體 ，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 167。 半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用 167。主講人：申鳳娟 2 1 半導(dǎo)體器件 2 基本放大電路及其分析設(shè)計(jì)方法 6 模擬電子技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展 3 放大電路的頻率響應(yīng)與負(fù)反饋技術(shù) 4 通用集成運(yùn)放及其應(yīng)用 5 波形發(fā)生電 路 7 直流穩(wěn)壓電 源 CONTENTS 內(nèi)容大綱 C 3 第一章 4 第一章 常用半導(dǎo)體器件 167。 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 167。 半導(dǎo)體三極管 167。 晶閘管 5 導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體 導(dǎo)體： 自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱(chēng)為 導(dǎo)體 ，金屬 一般都是導(dǎo)體。（電阻率 109～ 1020??㎝ ） 半導(dǎo)體： 另有一類(lèi)物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣 體之間，稱(chēng)為 半導(dǎo)體 ，如鍺、硅、砷化鎵等。 6 ? 定義 純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體叫做 本征半導(dǎo)體 。 ,因此半導(dǎo) 體的導(dǎo)電性和溫度有關(guān) ,對(duì)溫度很敏感。 電子 多子 。 空穴 多子 。 雜質(zhì)半導(dǎo)體 14 1. PN結(jié)的形成 P區(qū) N區(qū) 物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。 I擴(kuò) PN結(jié)及其單向?qū)щ娦? 16 在交界面，由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ,經(jīng)過(guò)復(fù)合 ,出現(xiàn)空 間電荷區(qū)
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