半導(dǎo)體器ppt課件-閱讀頁
2025-02-05 18:23本頁面
【正文】 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 飽和區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。 放大 飽和 截止 典型題 特性曲線 58 【 例 2】 現(xiàn)已測得某電路中幾只晶體管三個極的直流電位如下，各晶體管開啟電壓均為 。 晶體管 T1 T2 T3 T4基極直流電位U B /V 1 1 0發(fā)射極電位U E /V 0 0集電極直流電位U C /V 5 0 15工作狀態(tài)放大 放大 飽和 截止 特性曲線 典型題 59 溫度對晶體管特性的影響 ????????BEBBBEC E O )(uiiuIT不變時，即不變時℃?晶體管對溫度的變化敏感！ 三極管的主要參數(shù) 60 ? ?? 直流參數(shù) ： 、 、 ICBO、 ICEO ce間擊穿電壓 最大集電極電流 最大集電極耗散功率， PCM＝ iCuCE 安全工作區(qū) ? 交流參數(shù)： β、 α、 fT（使 β＝ 1的信號頻率） ? 極限參數(shù) ： ICM、 PCM、 U（ BR） CEO EC II?? ??? ?????1ECii 三極管的主要參數(shù) 61 場效應(yīng)管（簡稱 FET）屬于單極型三極管，是利用電場來控制管內(nèi)電流，輸入端的 PN結(jié)工作于反向偏置或輸入端處于絕緣狀態(tài)，具有輸入電阻高 場效應(yīng)管有三個極：源極（ s） 、柵極（ g）、漏極（ d），對應(yīng)于晶體管的 e、 b、 c；有 三個工作區(qū)域：截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)，對應(yīng)于 晶體 管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。 預(yù)夾斷 uGD＝ UGS（ off） VDD的增大，幾乎全部用來克服溝道的電阻， iD幾乎不變，進(jìn)入恒流區(qū)， iD幾乎僅僅決定于 uGS。 低頻跨導(dǎo)： 結(jié)型場效應(yīng)管 66 常量?? DS)( GSD Uufi夾斷電壓 漏極飽和電流 轉(zhuǎn)移特性： 場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)，有 uGS＞ UGS（ off） 且 uGD＜ UGS（ off） 。 稱為 金屬 氧化物 半導(dǎo)體場效應(yīng)管 ， 或簡稱 MOS 場效應(yīng)管 。 類型 N 溝道 P 溝道 增強(qiáng)型 耗盡型 增強(qiáng)型 耗盡型 絕緣柵場效應(yīng)管 68 1. N 溝道增強(qiáng)型 MOS 場效應(yīng)管 1. 結(jié)構(gòu) P 型襯底 N+ N+ B G S D SiO2 源極 S 漏極 D 襯底引線 B 柵極 G 2. 工作原理 絕緣柵場效應(yīng)管利用 UGS 來控制 “ 感應(yīng)電荷 ” 的多少 ， 改變由這些 “ 感應(yīng)電荷 ” 形成的導(dǎo)電溝道的狀況 ，以控制漏極電流 ID。 絕緣柵場效應(yīng)管 71 P N N G S D UDS UGS UGS0時 UGS足夠大時（ UGSUGS(th)），出現(xiàn)以電子導(dǎo)電為主的 N型導(dǎo)電溝道。 當(dāng) UDS增大時，靠近 D區(qū)的導(dǎo)電溝道變窄。 ID UDS增加， UGD= UGS(th)時，靠近 D端的溝道被夾斷，稱為預(yù)夾斷。 2G S ( t h)GSDOD )1( ?? UUII(當(dāng) UGS UGS(th) 時 ) 三個區(qū)：可變電阻區(qū) 、恒流區(qū) (或飽和區(qū) )、 擊穿區(qū) 。 即使 UGS = 0 也會形成 N 型導(dǎo)電溝道 。 UP 稱為夾斷電壓 S G D B 絕緣柵場效應(yīng)管 78 N 溝道耗盡型 MOS 管特性 工作條件： UDS 0； UGS 正、負(fù)、零均可。 為增強(qiáng)型場效應(yīng)管的一個重要參數(shù)。 輸入電阻很高。 場效應(yīng)管的參數(shù) 80 二、交流參數(shù) 1. 低頻跨導(dǎo) gm 2. 極間電容 用以描述柵源之間的電壓 UGS 對漏極電流 ID 的控制作用。 極間電容愈小 ， 則管子的高頻性能愈好 。 場效應(yīng)管的參數(shù) 81 三、極限參數(shù) 1. 漏極最大允許耗散功率 PDM 2. 漏源擊穿電壓 U(BR)DS 3. 柵源擊穿電壓 U(BR)GS 由場效應(yīng)管允許的溫升決定 。 當(dāng)漏極電流 ID 急劇上升產(chǎn)生雪崩擊穿時的 UDS 。 場效應(yīng)管的參數(shù) 82 DGSDGSN 溝道 P 溝道結(jié)型 F E T場效應(yīng)管總結(jié)： 場效應(yīng)管的參數(shù) 83 DSGBDSGBDSGBDSGBN 溝道 P 溝道增強(qiáng)型N 溝道 P 溝道耗盡型M O S F E T場效應(yīng)管總結(jié)： 場效應(yīng)管的參數(shù) 84 ? 場效應(yīng)管與晶體管的比較 場效應(yīng)管（ FET） 晶體三極管 (BJT) 輸入電壓控制輸出電流 輸入電流控制輸出電流 只有多子參與導(dǎo)電 （單極型） 多子和少子均參與導(dǎo)電 （雙極型） 溫度穩(wěn)定性好、抗輻射性強(qiáng) 溫度穩(wěn)定性差、抗輻射性差 噪聲小 噪聲大 功耗小、易于集成 功耗大、不易集成 85 本 章 結(jié) 束
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