雙極型半導(dǎo)體器ppt課件-閱讀頁
2025-02-01 16:46本頁面
【正文】 USB C B E RC UBE mA2612m a x ???CSCC RUIIB=0 ， IC=0 IC 最大飽和電流： Q位于截止區(qū) (131) 例： ?=50， UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當(dāng) USB = 2V， 2V， 5V時(shí)， 晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn) Q位 于哪個(gè)區(qū)？ 可知 Q位于放大區(qū) USB =2V時(shí) 9m A01070 702 ..R UUIBBESBB ?????0 .9 5 m A9 m A01050 ???? .II BC ?3V6695012RIUU CCCCCE .. ??????CCCE U213V6U ?? . (132) USB =5V時(shí) : 例： ?=50， UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當(dāng) USB = 5V， 2V， 5V時(shí)， 晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn) Q位 于哪個(gè)區(qū)？ IC UCE IB UCC RB USB C B E RC UBE Q 位于飽和區(qū)，此時(shí) IC 和 IB 已不是 ? 倍的關(guān)系?；鶚O電流的變化量為 ?IB， 相應(yīng)集電極電流變化為 ?IC， 則 交流電流放大倍數(shù) 為 BIIC????1) 電流放大倍數(shù) 和 ? ___?例： UCE=6V時(shí) ： IB = 40 ?A, IC = mA； IB = 60 ?A, IC = mA _ __???BCII? ???????BCII?在以后的計(jì)算中，一般作近似處理： ? = ? 主要參數(shù) (134) ICEO= （ 1+? )ICBO ? 集 射穿透電流 ICEO ICEO受溫度影響大，T↑ ICEO↑↑ ， IC也相應(yīng)增加 ? 集電結(jié)反向飽和電流 ICBO ?A ICBO 發(fā)射結(jié)開路 ,集電結(jié)反偏時(shí)由少子漂移形成的反向電流 ,受溫度影響 2) 極間反向電流 基極開路 ,從集電極穿透至發(fā)射極的電流 三極管的溫度特性較差 主要參數(shù) (135) ? 集電極最大允許功耗 PCM ? 集電極電流 IC 流過三極管，所發(fā)出的焦耳熱為： PC =iC uCE ? 必定導(dǎo)致結(jié)溫上升所以 PC有限制 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM 安全工作區(qū) ? 集電極最大電流 ICM IC過大， 會(huì)導(dǎo)致 ?值下降，當(dāng)降到正常值 2/3時(shí)的 IC即為 ICM ? 反向擊穿電壓 3) 極限參數(shù) 當(dāng) C開路， BE間反向擊穿電壓 BUEBO， 一般約 5V 當(dāng) E開路， CB間反向擊穿電壓 BUCBO， 一般約幾十伏以上 當(dāng) B開路， CE間反向擊穿電壓 BUCEO， 比 BUCBO小些 主要參數(shù) (136) 測(cè)得工作在放大電路中幾個(gè)三極管的三個(gè)電位如下圖，判斷 他們是 PNP型還是 NPN型？是硅管還是鍺管？同時(shí)確定三個(gè)電極 b e c NPN 硅管 c b e PNP鍺管 c e b PNP硅管 NPN鍺管 b e c (137) 18 二極管為理想二極管，判斷圖中二極管的工作狀態(tài)并求 u0 共陰極接法的多個(gè)二極管，陽極電位高的導(dǎo)通，其它的截止 共陽極接法的多個(gè)二極管，陰極電位低的導(dǎo)通，其它的截止 VD1導(dǎo)通， VD2截止 VD2導(dǎo)通， VD1截止 0V 12V 3V 0V u0 = 0V u0 = 3V (138)
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