半導(dǎo)體器ppt課件(2)-閱讀頁
2025-05-21 12:43本頁面
【正文】 結(jié)加什么電壓使空間電荷區(qū)變窄？有利于什么運動？ 穩(wěn)壓二極管與普通二極管的區(qū)別在哪里？ 二極管的死區(qū)電壓是什么的反映？ 半導(dǎo)體器件的性能為什么受溫度的影響比較大？ 什么叫 PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕? 怎樣用萬用表判斷二極管的極性？ 二極管能否起穩(wěn)壓作用？如能，舉例說明。 晶體管放大的內(nèi)部條件： 發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散，形成發(fā)射極電流IE。 二 . 晶體管的電流放大作用 B E C N N P Ec IE IBE EB RB IC IB 從基區(qū)擴散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成 IC。 輸入特性 （同二極管） IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 UCE?1V 當(dāng) UCE大于一定的數(shù)值時， IC基本只與 IB有關(guān)， IC=?IB。 功能：放大 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 線性放大區(qū) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 UCE?UBE,集電結(jié)正偏， ?IBIC，UCES? 飽和區(qū) 。 條件： 發(fā)射結(jié) 反偏 集電結(jié) 反偏 IB=0 功能： RCE≈ ∞ 近似電子開關(guān)斷開 截止區(qū) 例 EC=10V ,EB = 5V, UBE = , RC=3kΩ， RB=200kΩ， β = 100， 求： 1 ） IB ， IC. 判斷三極管是否處于放大狀態(tài) . 2）當(dāng) RB=100kΩ時，三極管是否處于放大狀態(tài)？ 解： 1） IB= EB － UBE RB 5－ 200 ＝ ＝ ＝ I c ≈β IB ＝ UCE = EC – ICRC＝ 10－ 3＝ UBE = , 說明 發(fā)射結(jié)正偏 ， 集電結(jié)反偏 ， 故三極管處于 放大 狀態(tài)。 例 放大 狀態(tài)的兩個三極管的電位分別為：、 、 9V 和 － 、－ 1V、－ 6V，試判斷這兩個三極管的類型和管腳。說明 發(fā)射結(jié)正偏 ， 集電結(jié)反偏。 說明 VC VB VE NPN型三極管一般為 硅 管 UBE = ， PNP型三極管一般為 鍺 管 UBE = － B E C B E C 對 PNP ： UBE 0、 UBC 0。輸入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好。 感應(yīng)出電子 VT稱為閾值電壓 P N N G S D UDS UGS UGS較小時，導(dǎo)電溝道相當(dāng)于電阻將 DS連接起來，UGS越大此電阻越小。 當(dāng) UDS較大時，靠近 D區(qū)的導(dǎo)電溝道變窄。 夾斷后 ID呈恒流特性。 轉(zhuǎn)移特性曲線 0 ID UGS UGS（ OFF） 輸出特性曲線 ID U DS 0 UGS0 UGS0 UGS=0 m uGS ? iD g ? ? 跨導(dǎo) 思考題 晶體管放大的內(nèi)部條件和外部條件是什么？ 晶體管有哪些工作狀態(tài)？ 晶體管為什么可作為開關(guān)元件使用？ 溫度對晶體管的性能參數(shù)有什么影響？ 怎樣用萬用表判別晶體管的類型和管腳？ 增強型 MOS管與耗盡型 MOS管有何區(qū)別？ 為什么說 MOS管是單極型器件？跨導(dǎo)指什么？ 習(xí)題： P34
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