半導體器ppt課件(2)(參考版)
2025-05-09 12:43本頁面
【正文】 ID 增強型 N溝道 MOS管的特性曲線 轉(zhuǎn)移特性曲線 0 ID UGS UGS（ TH） UGS0 ID U DS 0 輸出特性曲線 三、場效應 管的特性曲線 耗盡型 N溝道 MOS管的特性曲線 耗盡型的 MOS管 UGS=0時就有導電溝道，加反向電壓才能夾斷 。 P N N G S D UDS UGS UDS增加，UGD=VT時，靠近 D端的溝道被夾斷，稱為予夾斷。 P N N G S D UDS UGS 當 UDS不太大時，導電溝道在兩個 N區(qū)間是均勻的。 一、場效應管的基本結(jié)構、分類 結(jié)型場效應管 JFET 絕緣柵型場效應管 MOS P G S D N N P N+ G S D B N+ P N N G S D 金屬鋁 導電溝道 G S D N溝道增強型 N溝道耗盡型 G S D P N N G S D 予埋了導電溝道 N P P G S D G S D P溝道增強型 P溝道耗盡型 G S D N P P G S D 予埋了導電溝道 P N N G S D UDS UGS UGS=0時 DS間相當于兩個 PN結(jié) ID=0 對應截止區(qū) 二、 MOS管的工作原理 P N N G S D UDS UGS UGS0時 UGS足夠大時（ UGSVT）感應出足夠多電子，這里以電子導電為主出現(xiàn) N型的導電溝道。 則為 VC VB VE 四、主要參數(shù) β =?Ic/?Ib=IC/IB (一般 40200) 基反向飽和電流 ICBO (CB之間 PN結(jié)反向電流 ) ICEO=(1+β )ICBO IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作區(qū) ICM UCEO PCM 五 .溫度對三極管參數(shù)影響 第 5節(jié) 場效應管 場效應管與雙極型晶體管不同，它是多子導電，稱為單極型晶體管，是電壓控制電流器件。 對 NPN： UBE 0、 UBC 0。 解： 三極管在 放大 狀態(tài)。 2). 集電極臨界飽和電流： ICS = EC － UCES RC EC RC ≈ ＝ 基極臨界飽和電流： IB= EB － UBE RB IBS ≈ I c/ β= 33 μA 當 RB=100kΩ時，基極電流 ： ＝ 43μA IBS 故三極管處于 飽和 狀態(tài)。 條件： 發(fā)射結(jié) 正偏 集電結(jié) 正偏 功能： RCE≈ 0 近似電子開關接通 飽和區(qū) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO UBE 死區(qū)電壓，稱為 截止區(qū) 。 輸出特性 條件：發(fā)射結(jié) 正偏 ,集電結(jié) 反偏 。 IC/IB=β= β IB+IC=IE B E C IB IE IC PNP型三極管 B E C IB IE IC NPN型三極管 放大區(qū)電壓和電流實際方向 三、 晶體管的特性曲線 實驗線路 工作壓降： 硅管 UBE?~ 鍺管 UBE?~ 死區(qū)電壓，硅管 ，鍺管 。 進入 P區(qū)的電子少部分
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