半導(dǎo)體器ppt課件-在線瀏覽
2025-03-10 18:23本頁面
【正文】 空間電荷區(qū) 耗盡層 (電荷層、勢壘層 ) I漂 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦? 17 當擴散電流等于漂移電流時，達到動態(tài) 平衡，形成 PN結(jié)。 ，有利于少子漂移 。 19 2. PN結(jié)的單向?qū)щ娦? 1) PN結(jié)外加正向電壓時處于導(dǎo)通狀態(tài) 加正向電壓是指 P端加正電壓， N端加負電壓，也稱正向接法或正向偏置。 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦? 21 2) PN結(jié)外加反向電壓時處于截止狀態(tài) 外電場和內(nèi)電場的共同作用，使耗盡層變 寬，形成很小的漂移電流。 2）擴散電容 PN結(jié)外加的正向電壓變化時，在擴散路程中載流子的濃度及其梯度均有變化，也有電荷的積累和釋放的過程，其等效電容稱為擴散電容 Cd。由 P區(qū)引出的電極為陽極（ A） ，由 N區(qū)引出的電極為陰極（ K ）。 小功率二極管 大功率二極管 穩(wěn)壓 二極管 發(fā)光 二極管 基本結(jié)構(gòu) 26 大頭——負極 小頭——正極 基本結(jié)構(gòu) 27 材料 開啟電壓 導(dǎo)通電壓 反向飽和電流 硅 Si ~ 1181。A )(ufi ?開啟電壓 反向飽和電流 擊穿電壓 m V )26( )1e( TS T ??? UIi U u 常溫下溫度的 電壓當量 二極管的電流與其端電壓的關(guān)系稱為伏安特性。 導(dǎo)通時△ i與△ u成線性關(guān)系 ? 折線化 —— 折線模型 伏安特性 33 例題 1：電路圖如下圖 所示，二極管 D為硅二極管求 U0 開關(guān)斷開時 開關(guān)閉合時 VVUVU DO )(1 ?????VVU O 122 ??應(yīng)根據(jù)不同情況選擇不同的等效電路！ 伏安特性 34 2）微變等效電路 DTDDd IUiur ????根據(jù)電流方程， Q越高， rd越小。 ui=0時直流電源作用 小信號作用 靜態(tài)電流 伏安特性 35 1. 最大整流電流 IF 二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。擊穿時反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過熱而燒壞。 主要參數(shù) 36 3. 反向電流 IR 指二極管加反向峰值工作電壓時的反向電流。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。 4. 最高工作頻率 fM 二極管的上限頻率 主要參數(shù) 37 t t u o 0 u i 0 D u i ＋ － u o ＋ － R L 應(yīng)用一：畫出二極管電路的輸出波形（設(shè) UD=0）。 3V 鉗位二極管！ 二極管的應(yīng)用 39 穩(wěn)壓二極管 1）伏安特性 進入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流 不至于損壞的最大電流 由一個 PN結(jié)組成，反向擊穿后在一定的電流范圍內(nèi)端電壓基本不變，為穩(wěn)定電壓。 特殊二極管 41 光電二極管 光電二極管是一種將光能轉(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件，其結(jié)構(gòu)與普通二極管相似，只是管殼上留有一個能入射光線的窗口。它由一個 PN結(jié)構(gòu)成 ,當發(fā)光二極管正偏時，注入到 N區(qū)和 P區(qū)的載流子被復(fù)合時，會發(fā)出可見光和不可見光。 45 放大是對模擬信號最基本的處理。 晶體管的放大作用表現(xiàn)為 小的 基極電流可以控制 大的 集電極電流。 少數(shù)載流子的運動 因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū) 因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合 因集電區(qū)面積大，在外電場作用下大部分擴散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū) 基區(qū)空穴的擴散 電流放大原理 47 IB B E C N N P VB RB Vcc IE IC IC BC II ??BBCE IIII )1( ?????晶體管實質(zhì)上是一個 電流控制器 C B OC E OBCBC)(1 1 IIiiII????????????穿透電流 集電結(jié)反向電流 直流電流放大系數(shù) 交流電流放大系數(shù) 電流分配關(guān)系 : 電流放大原理 48 電流放大作用的條件 內(nèi) 部 條 件 發(fā)射區(qū)多數(shù)載流子濃度很高； 基區(qū)很薄，摻雜濃度很?。? 集電區(qū)面積很大，摻雜濃度低于發(fā)射區(qū) 外 部 條 件 發(fā)射結(jié)加正向偏壓（發(fā)射結(jié)正偏）； 集電結(jié)加反向偏壓（集電結(jié)反偏）。 死區(qū)電壓，硅管，鍺管 。 IC只與 IB有關(guān)，IC=?IB。 2. 輸出特性 特性曲線 53 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死區(qū)電壓，稱為截止區(qū)。
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